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Micron鎂光MT25QL128ABA1ESE-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:微米系列NOR閃存
Micron鎂光MT41K256M16TW-107:P
產品分類:DDR SDRAM
功能類型:SDRAM的低電壓版
Micron鎂光MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
產品分類:NAND FLASH
功能類型:閃存 NAND 存儲器
Micron鎂光MT25QL128ABA1EW9-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT41K128M16JT-125:K
產品分類:DDR SDRAM
功能類型:SDRAM-DDR3L存儲器
Micron鎂光MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT28EW01GABA1HJS-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:FLASH - NOR 存儲器
Micron鎂光MT47H128M16RT-25E
產品分類:DDR SDRAM
功能類型:SDRAM-DDR2 存儲器
Micron鎂光MT25QL512ABB1EW9-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:FLASH - NOR
Micron鎂光MT25QU128ABA1ESE-0SIT
產品分類:NOR FLASH
功能類型:FLASH - NOR 存儲器

特色產品

Micron鎂光AR0130數(shù)字圖像傳感器CMOS
AR0130是一個1/3英寸CMOS數(shù)字圖像傳感器SOR與活動像素陣列1280Hx960V。 它的上限用滾動震動讀出的圖像。 包括復雜的相機功能,如自動曝光控制、開窗以及視頻和單幀模式。 它是通過一個簡單的雙線可編程的串行接口。 AR0130產生了異常清晰、銳利的數(shù)碼圖片及其捕捉的能力連續(xù)視頻和單幀使其成為適合廣泛應用的完美選擇,包括游戲系統(tǒng)、監(jiān)控和高清視頻。
Micron鎂光M25P16串行閃存NOR FLASH
M25P16是16Mb (2Mb x 8)串行閃存設備,有先進的寫保護機制,通過高速spi兼容總線訪問。支持時鐘頻率高達75MHz的高性能命令。使用PAGE PROGRAM命令一次可以對內存進行1到256字節(jié)的編程。它被組織成32個扇區(qū),每個扇區(qū)包含256頁。每個頁面是256字節(jié)寬。內存可以被視為8,192頁或2,097152字節(jié)。可以使用BULK ERASE命令擦除整個內存,也可以使用sector ERASE命令一次擦除一個扇區(qū)。

品牌介紹

Micron鎂光

Micron鎂光科技公司(Micron Technology, Inc.),公司級建于1978年,總部位于美國愛德荷州,Micron是全球第二大內存顆粒芯片廠,美國500強企業(yè),全球領先的高級半導體解決方案提供商之一。Micron鎂光是全球儲器龍頭存廠商,Micron鎂光主要業(yè)務為生產多種形式的半導體器件,包括動態(tài)隨機存取存儲器,閃存和固態(tài)驅動器;其主要產品包括DRAM、NAND快閃存儲器、CMOS影像感測器、其它半導體元件和內存模組。產品在國內極少現(xiàn)身,這是因為美光很少將自己的優(yōu)質顆粒賣給其他內存品牌。其極品顆粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌機OEM市場。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等國際知名品牌都可以看到其內存顆粒的產品。可知其穩(wěn)定性及超頻性好。

Micron鎂光

應用場景

  • Micron鎂光工業(yè)應用

    工業(yè)應用

  • Micron鎂光通訊應用

    通訊應用

  • Micron鎂光消費電子

    消費電子

  • Micron鎂光智能家居

    智能家居

  • Micron鎂光新能量汽車

    新能量汽車

  • Micron鎂光智能與安全

    智能與安全

相關資源

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美光低功耗內存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺   Micron美光科技宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通 (Qualcomm Technologies) 最新的擴展現(xiàn)實 (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊,提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功耗,可靈活支持混合現(xiàn)實 (MR) 和虛擬現(xiàn)實 (VR) 設備。LPDDR5X 是目前美光最先進的低功耗內存,通過創(chuàng)新的 1α 制程節(jié)點技術和 JEDEC 能效優(yōu)化實現(xiàn)更低功耗。          全球增強現(xiàn)實(AR)和虛擬現(xiàn)實(VR)市場規(guī)模從 2021 年1起,以 24% 的復合年均增長率成長,預計在 2030 年前 有望達到 2,000 億美元。美光嵌入式產品可為擴展現(xiàn)實應用提供強大的即用解決方案,加速消費者普及,并不斷拓展市場潛力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能夠在多個應用和傳感器間實現(xiàn)并行處理,通過無縫集成元宇宙中不斷變化的形態(tài)、位置和感知,為 VR 用戶打造真實的沉浸式體驗。 美光 LPDDR5X 可實現(xiàn)高達 8.533 Gbps 的峰值速率,同時向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5,在降低功耗的同時,為設備制造商提供了平臺集成的靈活性。     美光副總裁暨嵌入式市場總經理   Chris Jacobs 表示:   “元宇宙蘊藏著巨大潛力,將徹底改變我們的工作和娛樂方式。要將這種創(chuàng)新變?yōu)楝F(xiàn)實,我們需要高性能、低功耗的硬件,以滿足混合現(xiàn)實體驗對超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案是下一代 XR 設備的理想之選,為開啟豐富的虛擬世界體驗提供所需的性能和功耗?!?   今年 9 月 27 日最新發(fā)布的第二代驍龍 XR2 處理器通過與 Meta 密切合作開發(fā),已在 Meta 最新推出的頭顯 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代驍龍 XR2 平臺提供單芯片架構,可在更輕薄、更舒適且無需外置電池組的頭顯中實現(xiàn)全新的沉浸式 MR 和 VR 體驗。Meta Quest 3 空間計算平臺能提供無延遲的體驗,帶來令人驚嘆的視覺效果和身臨其境的音效,使用戶感受到虛擬內容與現(xiàn)實世界的融合,并實現(xiàn) MR 和 VR 體驗之間的無縫轉換。   與上一代產品相比,LPDDR5X 的功耗降低了 24%2,通過延長電池續(xù)航時間,實現(xiàn)了更出色的用戶體驗,是 MR 和 VR 頭顯設備的理想之選。美光 LPDDR5X 可實現(xiàn) 8.533 Gbps 的峰值數(shù)據傳輸速率,使元宇宙應用的數(shù)據訪問速度提高了 33%3,從而縮短了響應時間。美光基于 1α 制程節(jié)點的 LPDDR5X 內存,可為擴展現(xiàn)實設備提供更出色的容量密度、性能和能效。   美光 UFS 3.1 客戶端存儲是全球首款采用美光 176 層 NAND 技術的 UFS,擁有緊湊的外形尺寸和高存儲密度,為 MR 和 VR 頭顯等小型設備提供更高的設計靈活性。   美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 現(xiàn)已通過高通驍龍平臺驗證,并由美光銷售渠道、經銷商及合作伙伴向 MR 生態(tài)系統(tǒng)供貨。   1根據 Prescient & Strategic Intelligence 公司的 AR 和 VR 市場報告:按類型(AR,VR),產品(硬件,軟件),設備類型(AR 設備,VR 設備),應用領域(消費端,商業(yè)端,企業(yè)端)- 2030年前行業(yè)分析和增長預測   2在模擬測試中,與上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) 相比,峰值數(shù)據傳輸速率 (8.533 Gbps) 狀態(tài)下的 LPDDR5X 功耗更低   3根據已公布的 JEDEC 規(guī)范 (8.533/6.4 = 1.33),將 LPDDR5X (8.533 Gbps) 和上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) DRAM 的峰值數(shù)據傳輸速率進行對比  
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Micron美光宣布開始送樣增強版通用閃存UFS 4.0   Micron美光科技股份有限公司,宣布開始送樣增強版通用閃存(UFS) 4.0 移動解決方案,該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領先的緊湊型 UFS 封裝 (9 x 13mm) ?;谙冗M的 232 層 3D NAND 技術, 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達 1 TB 容量,其卓越性能和端到端技術創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。        美光 UFS 4.0 的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達 4300 MBps 和 4000 MBps,較前代產品相比性能1提升一倍,為數(shù)據密集型應用提供了更出色的使用體驗。憑借高速性能,用戶能更快地啟動常用的生產力、創(chuàng)意和新興 AI 應用。生成式 AI 應用中的大語言模型加載速度可提高 40%2,為用戶與 AI 數(shù)字助手的對話提供更流暢的使用體驗。 美光最新推出的 UFS 4.0 解決方案采用業(yè)界領先的緊湊型 UFS 封裝,在降低功耗的同時可提供一流的存儲性能。該解決方案憑借突破性的固件升級,使智能手機始終保持出廠時的流暢運行狀態(tài),同時通過更強的性能、靈活性和可擴展性,進一步提升了移動存儲性能標準,助力智能手機加速普及生成式 AI 功能。     緊湊的封裝設計為超薄節(jié)能型智能手機奠定基礎 自去年 6 月推出 11mm x 13mm 封裝規(guī)格的 UFS 4.0 解決方案后,美光進一步縮小 UFS 4.0 的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的 9mm x 13mm 托管型 NAND 封裝。尺寸更小巧的 UFS 4.0 為下一代折疊及超薄智能手機設計帶來了更多可能性,制造商可利用節(jié)省出來的空間放置更大容量的電池。此外,新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%3,使用戶在運行 AI、AR、游戲和多媒體等耗電量高的應用時獲得更長的續(xù)航時間。     美光專有固件創(chuàng)新,進一步提升移動閃存標準   此次增強版 UFS 4.0 基于美光去年量產的 UFS 4.0 產品,可提供多項專有固件更新功能,包括:   ? 高性能模式 (HPM):該專有功能通過優(yōu)先處理關鍵任務而非后臺任務,以提升智能手機在密集使用期間的性能。開啟 HPM 后,存儲訪問速度可提升一倍,助力手機在啟動多應用時速度提升超過 25%4。   ? 一鍵刷新 (OBR):OBR 功能通過自動清理和優(yōu)化數(shù)據,幫助用戶獲得更持久的卓越性能,使智能手機始終保持宛如全新狀態(tài)的流暢運行體驗。更快的讀/寫性能可提升10% 的應用啟動速度5,實現(xiàn)更快的相冊訪問速度和流暢的多任務處理,為用戶提供更好的體驗。 ? 分區(qū) UFS (ZUFS):美光 UFS 4.0 現(xiàn)支持主機指定不同的數(shù)據存儲區(qū)域,以提升設備的長期使用體驗。ZUFS 能夠有效應對寫入放大現(xiàn)象,在不降低設備性能的前提下,盡可能利用有限的編程和擦除周期,從而延長智能手機使用壽命,并長期保持流暢的使用體驗。     美光工程師團隊在其全球實驗室中通過預測新興使用場景、模擬現(xiàn)實應用環(huán)境以及與客戶密切協(xié)作收集反饋,成功打造出這些創(chuàng)新的固件功能。在位于美國、中國和韓國的客戶聯(lián)合實驗室中,美光與智能手機廠商密切合作,通過了解廠商面臨的痛點問題,開發(fā)具有針對性的解決方案來解決技術瓶頸。     美光增強版 UFS 4.0 現(xiàn)已出樣,并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量選項。擴展的容量可支持旗艦智能手機容納設備端 AI 助手分析和生成的所有數(shù)據,以及用戶不斷增加的圖片素材,釋放 AI 的優(yōu)勢并獲得比云存儲更高的安全性。通過本地數(shù)據存儲,用戶能夠在離線或網絡信號不穩(wěn)定的情況下隨時訪問個人數(shù)據,從強大的 AI 功能中受益。  

萬聯(lián)芯城

萬聯(lián)芯城成立于2014年1月2日,隸屬于深圳市萬聯(lián)芯科技有限公司,是中國首批嘗試開發(fā)電子元器件小批量采購的垂直電商平臺之一;萬聯(lián)芯城以“讓供應鏈更高效,讓智造更簡單”為使命驅動,可為中小制造終端用戶提供元器件現(xiàn)貨、BOM配單、PCBA制造等一站式電子制造解決方案。

自創(chuàng)立以來,萬聯(lián)芯城一直堅守著“以良心做好良芯”的理念,相繼獲得航順芯片、川土微電子、先科ST、順絡電子、日電產科寶、長電科技、厚聲、金升陽、日本東信工業(yè)、長江連接器等30余家國內外知名原廠的授權代理資格。 萬聯(lián)芯堅持“一切以用戶為中心”的服務理念,服務客戶數(shù)超過50000家,覆蓋工業(yè)控制、通信、物聯(lián)網、醫(yī)療、汽車等行業(yè)。

萬聯(lián)芯城先后獲得國家高新技術企業(yè)、深圳市電子商會“副會長單位”、深圳市電子商會“優(yōu)秀...

萬聯(lián)芯城logo
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萬聯(lián)芯城卓越的元器件供應服務
卓越的元器件供應服務
萬聯(lián)芯城“3位一體”全服務鏈團隊
“3位一體”全服務鏈團隊

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推薦品牌

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