h1_key

當前位置:首頁 >新聞資訊 > 技術(shù)文章>英飛凌>SiC還是IGBT,新能源汽車如何選?
SiC還是IGBT,新能源汽車如何選?
2022-11-25 1910次

  碳化硅促進了電動汽車的進一步發(fā)展,使其成本更低,續(xù)航里程更長,設計更寬敞,功率密度更高。與標準內(nèi)燃機相比,電動汽車不需要油箱和發(fā)動機,因此可以開發(fā)更多的差異化設計,更有效地利用內(nèi)部空間,讓乘坐感覺更舒適。但由于車型有限、充電時間長、快速充電基礎設施不足、價格昂貴等因素,純電動汽車在全球新車銷售中的市場份額仍然很低。

  目前的市場上,SiC和IGBT仍然是各有 特點,本文分析它的技術(shù)差異,以及在主逆變器,OBC以及DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用SiC所帶來的優(yōu)勢。

  材料和零部件成本高是純電動汽車價格高昂的主要原因。如將電動動力總成定義為由電池、電機和逆變器組成,那么動力總成約占純電動汽車總成本的50%。在動力總成方面,電池成本占比超過60%。也就是說,電池成本占整車成本的35%以上。



  增加電力總成的功率密度是降低成本的一種方法。美國能源部制定了將高壓電力電子設備的功率密度提高7倍的目標,直到2025年。然而,由于安裝空間有限,特別是對于高性能汽車,高功率密度更為必要。因為增加功率密度可以降低動力總成部件的尺寸,進一步優(yōu)化車輛的室內(nèi)空間。

  目前,選擇硅IGBT該技術(shù)的功率模塊在電動汽車的應用中占主導地位。然而,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,硅基功率裝置正接近材料極限。因此,很難進一步提高其功率密度。



  因此,半導體行業(yè)一直在開發(fā)寬禁帶功率器件,例如碳化硅 MOSFET。美國能源部制定的功率密度目標正是基于寬禁帶功率器件的利用。

  寬禁帶功率器件比硅器件更昂貴,但因其功率組件的尺寸和重量減小,特別是在相同里程范圍內(nèi)可節(jié)省電池容量,因此能夠降低整體動力總成成本。


  SiC 和Si技術(shù)特點差異分析

  碳化硅已成為功率器件中硅的替代材料。寬禁帶、更高的擊穿電場、提高的熱導率以及更高的工作溫度是碳化硅的4大關(guān)鍵優(yōu)勢:



  ●碳化硅的禁帶比硅大 3 倍,可轉(zhuǎn)化為高 10 倍的擊穿電場。如需設計有高電壓(通常為 1200V 或更高)的單極器件,例如 MOSFET,使用碳化硅則會受益良多。

  ●碳化硅的熱導率是硅的 3 倍,與銅相似。因此,功率損耗產(chǎn)生的熱量可以以較小的溫度變化從碳化硅中傳導出去。

  ●由于較高的熔化溫度,理論上,碳化硅器件可以在 200°C 以上的溫度下良好運行。因為冷卻需求顯著降低,因而可以顯著降低冷卻系統(tǒng)的成本。



  由于較高的擊穿電場,碳化硅器件具有更薄的漂移層或更高的摻雜濃度。因此,與相同擊穿電壓的硅器件相比,它們具有更低的電阻。

  碳化硅可用于設計單極器件,例如高壓 MOSFET,理論上不產(chǎn)生尾電流。因此,相比于硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 有更低的開關(guān)損耗和更高性能的體二極管,從而實現(xiàn)更快的開關(guān)頻率。

  碳化硅器件可以在更高的溫度下運行,可達到 200℃ 或更高。然而,封裝技術(shù)限制了最高工作溫度。為了使碳化硅運行在高溫度,許多新封裝技術(shù)正在開發(fā)中。

  碳化硅器件的芯片面積更小,產(chǎn)生的柵極電荷和電容也更小,可以實現(xiàn)更高的開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。



  碳化硅 MOSFET 可以在高開關(guān)頻率下工作,使磁性元器件更小,且功率損耗更低。低功率損耗與高工作溫度和高熱導率相結(jié)合,降低了冷卻需求,從而使得冷卻系統(tǒng)更小。在功率轉(zhuǎn)換器應用中,高開關(guān)頻率還可以減少輸出電容器。

  由于高擊穿電壓,在高壓應用中(例如,高于 600V)使用碳化硅 MOSFET可以采用簡化的拓撲,而硅 IGBT 因為其擊穿電壓通常在 650V 至 750V 的范圍內(nèi),所選取的拓撲則不盡相同。簡化的拓撲結(jié)構(gòu)需要更少的組件,即更少的電源開關(guān)和柵極驅(qū)動器,以及在控制算法方面更少的設計工作量。

  單個碳化硅功率器件比硅等效器件成本更高,但使用碳化硅器件能夠節(jié)省系統(tǒng)成本,因為需要更少的組件、更小的無源組件尺寸、更小的冷卻系統(tǒng)、相同里程范圍內(nèi)的更小的電池容量以及更少的設計開發(fā)工作量。



  SiC在主逆變器、OBC、DC-DC的應用

  如上所述,碳化硅功率器件在功率密度、效率和冷卻工作方面具有顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢,因為與硅 IGBT 相比,它們的損耗更低。在主逆變器、車載充電器 (OBC) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器這些應用中,碳化硅的優(yōu)勢尤為明顯。

  主逆變器不僅驅(qū)動電機,還用于再生制動并將能量回饋給電池。這意味著主逆變器確保了電池和電機之間的雙向能量傳輸。車載充電器是交流到直流電源轉(zhuǎn)換器,用于給電池充電。DC-DC 轉(zhuǎn)換器將能量從一個電壓等級傳輸?shù)搅硪粋€電壓等級。

  下圖顯示了一種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(高壓到低壓),它將高壓電池的能量轉(zhuǎn)換為低壓的能量,為低壓電池充電并給 12V 電子系統(tǒng)供電。在其它電動車輛中,例如基于燃料電池的車輛,還有其他類型的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

  碳化硅為主逆變器應用帶來了更高的逆變器效率、更小的系統(tǒng)尺寸、更低的系統(tǒng)成本和更長的行駛里程。車載充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器都是電源應用,碳化硅為它們提供更高的開關(guān)頻率FSW 、更高的效率、雙向操作、更小的無源元件、更小的系統(tǒng)尺寸和更低的系統(tǒng)成本。

  戴姆勒與英飛凌合作開展了碳化硅在主逆變器系統(tǒng)中的優(yōu)勢研究。該項研究采用了英飛凌車規(guī)級功率模塊 HybridPACK? Drive的封裝形式,一款是基于750V EDT2 IGBT 的技術(shù),另外一款則采用了 1200V CoolSiC? 碳化硅MOSFET 技術(shù)。

  能耗的比較是集中在400V 和800V 的240千瓦電動 SUV上利用WLTP循環(huán)來進行的。



  研究表明:在相同的行駛條件、行駛里程下,在配備了 1200V SIC MOSFET 的 400V 系統(tǒng)中,逆變器的能耗降低了 63%,從而在 WLTP 驅(qū)動循環(huán)中節(jié)能 6.9%。

  在配備了 1200V SIC MOSFET 的 800 V系統(tǒng)中,逆變器能耗降低 69%,整車能耗降低 7.6%。碳化硅對車輛能耗的降低仍被低估,因為沒有考慮電池系統(tǒng)重量減輕的影響。

  那么,在成本方面碳化硅的使用又帶來哪些益處呢?碳化硅逆變器比硅等效物更昂貴。然而,根據(jù)前述能耗的降低,車輛系統(tǒng)效率提高,因此需要更少的電池容量。由于電池成本節(jié)省超過了碳化硅增加的成本,因此可節(jié)省高達 6% 的系統(tǒng)成本。



  車載充電器通常具有兩個單元:AC-DC 升壓拓撲“功率因數(shù)校正”(PFC)單元,然后是隔離式 DC-DC 單元。PFC 可以通過多種拓撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn),例如經(jīng)典升壓和圖騰柱。與經(jīng)典升壓拓撲相比,圖騰柱 PFC 表現(xiàn)出更高的功率密度和效率,因為它具有無橋 PFC,大大減少了二極管的數(shù)量。

  英飛凌也研究了碳化硅在 PFC 單元的益處。研究的器件是基于硅的 650V TRENCHSTOPTM F5 IGBT 和基于碳化硅的 1200V CoolSiC? MOSFET。

  在400V 輸出的 3.3 千瓦圖騰柱 PFC上進行了功率損耗的比較。使用 1200V的碳化硅 MOSFET,功耗降低了 52%。然而,1200V 碳化硅器件的功耗仍被低估,因為應該與 650V 碳化硅器件進行公平的比較。與 1200V 等效器件相比,650V 碳化硅器件具有更低的電阻和更低的傳導損耗。在任何情況下,碳化硅 MOSFET 都可以實現(xiàn)更高的效率。



  純電動汽車中的高壓到低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器一般可轉(zhuǎn)換高達3KW功率高,效率高。必須將高壓電池與低壓系統(tǒng)隔離由于其效率高,隔離諧振轉(zhuǎn)換器是一個很好的應用。

  DC-DC轉(zhuǎn)換器大部分時間都在部分負荷下工作。例如,10%到20%的負荷使部分負荷的效率成為關(guān)鍵。

  英飛凌高性能硅基CoolMOS?CFD7非常結(jié)MOSFET效率好。使用新一代。CoolSiC?技術(shù)可以進一步提高效率,特別是在部分負荷下。

  以氫為能源的燃料電池電動汽車是另一種具有巨大市場前景的汽車。燃料電池電動汽車中有兩種類型的高壓DC-DC轉(zhuǎn)化器的應用。

  在典型的燃料電池系統(tǒng)中,有一個DC-DC變壓器,用于將燃料電池堆的電壓變壓到逆變器系統(tǒng)供電。另一個。DC-DC雙向轉(zhuǎn)換器將電池能量輸送到逆變器系統(tǒng),并利用電機的再生能量為電池充電。此外,燃料電池汽車還有類似于其他電動汽車規(guī)格的逆變器系統(tǒng)。

  根據(jù)碳化硅功率器件的使用,可以改進DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器系統(tǒng)的功率密度和效率。最后,客戶將受益于更少的氫消耗,因為氫的價格仍然很高,或者使用相同數(shù)量的氫,汽車可以達到更長的范圍。



  • 英飛凌的EiceDRIVER?高低邊柵極驅(qū)動器IR2181STRPBF
  • 其中,英飛凌的EiceDRIVER? 600 V 高低邊柵極驅(qū)動器 IC(IR2181STRPBF),具有典型的 1.9 A 拉電流和 2.3 A 灌電流,具有更高的帶載能力,可驅(qū)動 MOSFET和IGBT,為產(chǎn)品從開發(fā)設計到最終應用全面保駕護航。
    2023-12-27 336次
  • 英飛凌門極驅(qū)動正壓對功率半導體性能影響
  • 對于半導體功率器件來說,門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗,開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。
    2023-12-22 330次
  • 英飛凌160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動器IC
  • MOTIX?三相柵極驅(qū)動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX?品牌的新成員,該品牌通過可擴展的產(chǎn)品組合提供低壓電機控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器IC,采用5x5 mm2 QFN-32封裝,帶有熱效率高的裸露功率焊盤,并集成了電源管理單元(PMU)。
    2023-07-21 385次
  • 英飛凌6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板
  • 英飛凌6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)。EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅(qū)動IC?1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)。
    2023-06-28 452次
  • 英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊
  • 英飛凌科技股份公司為了滿足上述需求,在其 CoolSiC?功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品:FF2000UXTR33T2M1和 FF2600UXTR33T2M1。這些功率模塊采用新開發(fā)的3.3kV CoolSiC? MOSFET和英飛凌的.XT互連技術(shù),封裝為XHP? 2,專門針對牽引應用量身定制。
    2023-06-28 414次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復
    返回頂部