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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出低內(nèi)阻、強(qiáng)抗浪涌MOSFET，電池管理系統(tǒng)BMS中的關(guān)鍵元器件

在儲能BMS中，充放電控制和主動均衡是兩大關(guān)鍵電路，都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的 SGT工藝，輕松應(yīng)對BMS中的會遇到的挑戰(zhàn)。

2025-12-10 29次

芯伯樂24C02/24C04/24Cxx:百萬次擦寫非易失性存儲器的解決方案

在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運(yùn)行日志等的首選方案。無論是消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，都能見到它的身影。

2025-12-10 7次

芯伯樂低噪聲軌到軌運(yùn)放芯片XAD8605/8606/8608系列，11MHz帶寬高精度信號調(diào)理

在工業(yè)控制、汽車電子和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域，對運(yùn)算放大器的性能要求越來越高，尤其是在帶寬、噪聲、功耗和輸入輸出范圍等方面的平衡。芯伯樂的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列運(yùn)算放大器，以其11MHz帶寬、低噪聲、軌到軌輸入輸出和微安級功耗，為高精度信號處理提供了可靠的解決方案。

2025-12-10 9次

VBGED1401——LFPAK56封裝，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中壓MOSFET的性能極限

2025-12-09 30次

全球第三國內(nèi)首款頂部散熱TOLT封裝功率MOSFET-VBGQTA1101

近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET，更以"熱傳導(dǎo)與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級，標(biāo)志著我國在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國際先進(jìn)行列！

2025-12-09 12次

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