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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體分立器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測試與銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品線涵蓋MOSFET、整流器件、保護(hù)器件、小信號SiC等，打造全品類的高可靠性、高性能產(chǎn)品服務(wù)矩陣。

在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域，電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航，還是電動(dòng)工具的高效作業(yè)，都離不開一顆強(qiáng)大的“心臟”——MOSFET。

MOS在電機(jī)設(shè)備中具有至關(guān)重要的作用，主要基于其在控制、效率提升、保護(hù)等多方面的獨(dú)特優(yōu)勢，以驅(qū)動(dòng)電機(jī)正常工作，使電機(jī)能夠輸出足夠的動(dòng)力，滿足各種工業(yè)和民用設(shè)備的需求。

面對電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源，或是直流/直流轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，MDD推出采用先進(jìn)Trench工藝的 N溝道MOS——MDD100N03D，采用TO-252封裝，30V/100A，以超低導(dǎo)通電阻、極速開關(guān)性能為智能設(shè)備注入澎湃動(dòng)力。

一、核心性能：高效能，低損耗

MDD100N03D的最大亮點(diǎn)在于其極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。在VGS = 10 V、ID = 30 A的條件下，RDS(on)僅為3.6mΩ，這意味著在電流通過時(shí)，能量損耗被降至最低，尤其在高頻開關(guān)場景中（如直流/直流轉(zhuǎn)換），可顯著減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體效率。

此外，MDD100N03D還具備極低的反向恢復(fù)電荷（Qg），這不僅減少了開關(guān)損耗，還進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。對于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場景（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源轉(zhuǎn)換），這一特性尤為重要。

二、可靠性：100%通過UIS測試

在工業(yè)環(huán)境中，設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性是重中之重。MDD100N03D經(jīng)過嚴(yán)格的UIS（非鉗位電感開關(guān)）測試，確保其在極端條件下仍能保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)。無論是突發(fā)的電壓波動(dòng)還是高電流沖擊，MDD100N03D都能提供可靠的保護(hù)，確保系統(tǒng)長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

同時(shí)，MDD100N03D符合RoHS規(guī)范，無鉛無鹵素設(shè)計(jì)，滿足全球環(huán)保法規(guī)要求，適用于全球市場的廣泛應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛適配，性能卓越

電信設(shè)備：在基站電源管理中，MDD100N03D的低功耗和高效率特性，能夠顯著降低能耗，延長設(shè)備壽命。

工業(yè)自動(dòng)化：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和PLC控制系統(tǒng)中，MDD100N03D的快速開關(guān)能力和高可靠性，確保了設(shè)備的高效運(yùn)行。

不間斷電源（UPS）：MDD100N03D在UPS中的應(yīng)用，能夠提升電源轉(zhuǎn)換效率，保障關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。

直流/直流轉(zhuǎn)換系統(tǒng)：在同步整流（SR）和電流開關(guān)場景中，MDD100N03D的低反向恢復(fù)電荷和低導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低損耗，提升系統(tǒng)效率。

五、選型推薦

除了MDD100N03D，MDD 還針對 MOS 產(chǎn)品線展開了更為全面的布局?，F(xiàn)特別推出一系列能夠滿足不同設(shè)計(jì)需求的 MOS 型號。這些產(chǎn)品經(jīng)過了嚴(yán)格的性能測試與參數(shù)校準(zhǔn)，以確保在各種復(fù)雜應(yīng)用場景中都能展現(xiàn)卓越性能。

若您在選型過程中有任何疑問或需求，歡迎通過后臺與我們聯(lián)系，我們將為您提供專業(yè)的選型推薦，并根據(jù)情況為您提供樣品以供測試評估。