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XMC4800-E196F2048 AA

現(xiàn)貨,推薦

XMC4800器件是基于 Arm? Cortex-M4? 處理器內(nèi)核的 XMC4000 系列微控制器的成員。當(dāng)今節(jié)能嵌入式控制應(yīng)用日益復(fù)雜,要求微控制器解決方案必須具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 內(nèi)核。 Arm? Cortex-M? 微控制器上首個(gè) EtherCAT 節(jié)點(diǎn),具有片上閃存和模擬/混合信號(hào)功能。

Infineon英飛凌 XMC4800-E196F2048 AA 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 3次

特性


  • ARM ? Cortex ? -M4 @ 144MHz
  • 2048kB 閃存、352kB RAM
  • Flash 上的數(shù)據(jù)和 IP 保護(hù)
  • 電源電壓范圍:3.13 - 3.63V
  • EtherCAT ?節(jié)點(diǎn)
  • 6 x CAN節(jié)點(diǎn)
  • 以太網(wǎng)MAC、USB-OTG、SD/MMC
  • 6chan USIC(配置為 SPI、UART、IIC、IIS)
  • 外部總線單元
  • 4 x 12 位 ADC,26 個(gè)輸入通道
  • 2通道12位DAC
  • 4通道?Σ解調(diào)器

應(yīng)用


汽車車身控制模塊 (BCM), 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS), 通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器, 家用機(jī)器人

參數(shù)


類型

描述

A/D輸入線路 (incl. FADC)

26

CAN節(jié)點(diǎn)

6

CPU

ARM Cortex-M4

DMA通道

12

DSP功能

Yes

EEPROM仿真 (Data-Flash)

Emulated

SRAM (包括高速緩存)

352 kByte

SRAM

352 kByte

串行I/O接口

6

串行I/O接口的類型

SPI, UART, I2C, I2S

功耗模式

clock gating possible

外部總線接口

Yes

存儲(chǔ)器類型

Flash

定時(shí)I/O引腳 (PWM, CAPCOM)

32

實(shí)時(shí)時(shí)鐘

Yes

快速閃存編程

No

指令寬度 ([bits])

32/16

振蕩器看門狗

Yes

數(shù)字I/O引腳

155

最低I/O 操作電壓

3.3 V

次內(nèi)核

N/A

浮點(diǎn)單元

Yes

溫度

-40 to 85°C

片上時(shí)鐘生成

Yes

片上電壓調(diào)節(jié)器

Yes

看門狗定時(shí)器

Yes

程序存儲(chǔ)器

2048 kByte

系列

XMC4800

觸摸/LED矩陣控制

Yes

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

Industrial

閃存

2048 kByte

附加功能

EtherCAT?, USB, SD/MMC, Ethernet 10/100 Mbit/s

預(yù)算價(jià)格€/1k

13.23

最高 頻率

144 MHz

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 7次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì),具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,可實(shí)現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì),提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
  • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件,片上集成有保護(hù)環(huán),用于過壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 8次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝,基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 6次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 9次
    10s
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