h1_key

當(dāng)前位置：首頁(yè) >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>英飛凌>Infineon英飛凌 1EDI3031AS 產(chǎn)品介紹

1EDI3031AS

在產(chǎn)

EiceDRIVER ? 1EDI3031AS 采用英飛凌的無(wú)芯變壓器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)跨電流隔離的雙向信號(hào)傳輸。安全特性和 ISO 26262 合規(guī)性使其達(dá)到 ASIL D 分類。安全文件有助于 FMEDA 分析。緊湊的設(shè)計(jì)和功能集成節(jié)省空間和成本。引腳兼容的版本可方便在 SiC MOSFET 和 IGBT 之間切換，以滿足不同的應(yīng)用需求。

Infineon英飛凌 1EDI3031AS 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 2次

產(chǎn)品詳情


  • 易于使用的預(yù)配置，無(wú)需編程
  • 引腳兼容 = 輕松切換 bn 變體
  • 符合 ASIL D 安全特性和 ISO26262 要求
  • 減少 BoM 和 PCB 空間，緊湊的設(shè)計(jì)

特性


  • 單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
  • 適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET
  • 高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI
  • 8 kV 基本絕緣
  • 6.8 kV 加強(qiáng)絕緣
  • 基本絕緣和加強(qiáng)絕緣
  • 傳播延遲典型值 60 ns
  • 支持單極開(kāi)關(guān)
  • 用于 PMSM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 ASC 引腳
  • 支持 ASIL B(D)
  • 高級(jí)驅(qū)動(dòng)器診斷

應(yīng)用


新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng), 電動(dòng)汽車牽引逆變器, 燃料電池控制單元 (FCCU)

參數(shù)


類型

描述

關(guān)斷傳播延遲

60 ns

封裝

PG-DSO-20

開(kāi)通傳播延遲

60 ns

電壓等級(jí)

1200 V

系列

EiceDRIVER? isolated gate driver ICs for EV

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

Automotive

輸入Vcc 范圍

3 V 至 5.5 V

輸出電流 (Source)

20 A

輸出電流 (Sink)

20 A

通道數(shù)

1

配置

High-side, High-side

隔離類型

Galvanic isolation - Reinforced

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 7次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過(guò)壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 8次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 6次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開(kāi)關(guān)開(kāi)創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 9次
    10s
    溫馨提示：
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng)，其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交，我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部