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IGT65R055D2

現(xiàn)貨,推薦

IGT65R055D2 GaN功率晶體管可提高高頻運行時的效率。作為 CoolGaN ? 650 V G5 系列的一部分,它符合最高質(zhì)量標準,可實現(xiàn)具有卓越效率的高可靠性設(shè)計。 它采用底部冷卻的 TOLL 封裝,旨在實現(xiàn)各種工業(yè)應用中的最佳功率耗散。

Infineon英飛凌 IGT65R055D2 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 2次

產(chǎn)品詳情


  • 支持高工作頻率
  • 實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率
  • 實現(xiàn)超高功率密度設(shè)計
  • 支持節(jié)省 BOM 成本

特性


  • 650 V e-mode 功率晶體管
  • 超快速開關(guān)
  • 無反向恢復電荷
  • 具有反向傳導能力
  • 低柵極電荷、低輸出電荷
  • 卓越的換向穩(wěn)定性
  • 低動態(tài) RDS(on)
  • 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM
  • 底部冷卻封裝
  • 符合 JEDEC 標準 (JESD47、JESD22)

應用


電動汽車充電, 數(shù)據(jù)中心及 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案, 電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換, 光伏, 工業(yè)電源

參數(shù)


類型

描述

最高 ID (@25°C)

31 A

最高 IDpuls (@25°C)

60 A

QG

4.7 nC

RDS (on) (typ)

55 m?

最高 RDS (on)

66 m?

最高 VDS

650 V

封裝

TOLL

環(huán)保認證

RoHS compliant, Halogen free

目前計劃的可用性至少到

2035

系列

CoolGaN? Transistor 650 V G5

認證標準

Industrial

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計,從而實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進,適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 7次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢,具有柵極驅(qū)動靈活性,可實現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計,從而實現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢,提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
  • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件,片上集成有保護環(huán),用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達 12 GHz 的應用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。
    2026-04-14 8次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝,基于最先進的溝槽半導體工藝構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導通特性。
    2026-04-14 6次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專為廣泛用于工業(yè)應用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計靈活性和性能的新時代。
    2026-04-14 9次
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