Infineon英飛凌 IGT65R055D2 產(chǎn)品介紹
2026-04-14
2次
產(chǎn)品詳情
- 支持高工作頻率
- 實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率
- 實現(xiàn)超高功率密度設(shè)計
- 支持節(jié)省 BOM 成本
特性
- 650 V e-mode 功率晶體管
- 超快速開關(guān)
- 無反向恢復電荷
- 具有反向傳導能力
- 低柵極電荷、低輸出電荷
- 卓越的換向穩(wěn)定性
- 低動態(tài) RDS(on)
- 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM
- 底部冷卻封裝
- 符合 JEDEC 標準 (JESD47、JESD22)
應用
電動汽車充電, 數(shù)據(jù)中心及 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案, 電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換, 光伏, 工業(yè)電源
參數(shù)
類型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 31 A |
最高 IDpuls (@25°C) | 60 A |
QG | 4.7 nC |
RDS (on) (typ) | 55 m? |
最高 RDS (on) | 66 m? |
最高 VDS | 650 V |
封裝 | TOLL |
環(huán)保認證 | RoHS compliant, Halogen free |
目前計劃的可用性至少到 | 2035 |
系列 | CoolGaN? Transistor 650 V G5 |
認證標準 | Industrial |



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