h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>三星>三星半導(dǎo)體 KHA883901B-MC12:HBM2 Flarebolt 技術(shù)的性能標(biāo)桿與場景落地
三星半導(dǎo)體 KHA883901B-MC12:HBM2 Flarebolt 技術(shù)的性能標(biāo)桿與場景落地
2025-08-04 120次


一、技術(shù)定位與產(chǎn)品架構(gòu)

 

三星半導(dǎo)體 KHA883901B-MC12 HBM2 Flarebolt 系列的核心產(chǎn)品,專為高性能計(jì)算(HPC)、圖形渲染和邊緣 AI 推理設(shè)計(jì)。作為 HBM2 技術(shù)的代表性方案,其通過 3D 堆疊架構(gòu)實(shí)現(xiàn) 8GB 存儲(chǔ)容量和 256GB/s 帶寬,較傳統(tǒng) GDDR6 內(nèi)存帶寬提升近 5 倍,功耗降低 30% 以上。該產(chǎn)品采用1024 位寬接口和 2.0Gbps 傳輸速率,配合 MPGAMicro-Package Grid Array)封裝技術(shù),在 36mm2 的基板上集成 4 DRAM 芯片,通過硅通孔(TSV)和微凸塊實(shí)現(xiàn)層間高速互連,信號(hào)傳輸路徑縮短至毫米級(jí),顯著降低延遲并提升散熱效率。

 

二、核心技術(shù)參數(shù)與創(chuàng)新設(shè)計(jì)

 

性能參數(shù)與能效優(yōu)化

 

帶寬與容量:8GB 容量和 256GB/s 帶寬的組合,可同時(shí)處理 20 4K 視頻流或支持千億參數(shù)大模型的實(shí)時(shí)推理。其帶寬密度達(dá)到 7.1GB/s/mm2,是傳統(tǒng) GDDR6 12 倍。

制程工藝:基于 1y(約 14nm)級(jí) DRAM 制程,通過 FinFET 結(jié)構(gòu)優(yōu)化,芯片密度提升 15%,單位容量成本降低 12%。工作電壓為 1.2V,在高負(fù)載場景下能效比優(yōu)于 GDDR6X 方案。

延遲控制:CAS 延遲(CL)優(yōu)化至 14-16 周期,在 AI 推理任務(wù)中數(shù)據(jù)響應(yīng)速度較前代提升 12%,尤其適合對(duì)實(shí)時(shí)性要求嚴(yán)苛的邊緣計(jì)算場景。

 

封裝與可靠性設(shè)計(jì)

 

采用TSV + 微凸塊雙重互連技術(shù),單芯片集成超過 2,048 個(gè)微凸塊,實(shí)現(xiàn)芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 2.0Gbps。通過內(nèi)置溫度傳感器和自適應(yīng)功耗管理(APM)技術(shù),可根據(jù)負(fù)載動(dòng)態(tài)調(diào)整電壓,在移動(dòng)端場景下能效比提升 18%。

 

支持 JEDEC JESD235B 標(biāo)準(zhǔn),兼容英偉達(dá) A100、AMD MI100 等主流 GPU,以及賽靈思 Versal AI Core FPGA。通過 ECC 糾錯(cuò)機(jī)制和冗余設(shè)計(jì),確保在 - 40°C 95°C 寬溫域下數(shù)據(jù)完整性,滿足工業(yè)控制和車載計(jì)算需求。

 

三、應(yīng)用場景與行業(yè)實(shí)踐

 

AI 推理與邊緣計(jì)算

 

KHA883901B-MC12 的高帶寬特性顯著提升邊緣設(shè)備的實(shí)時(shí)處理能力。例如,與瑞薩 R-Car V4H 車載芯片結(jié)合時(shí),可同時(shí)處理 8 1080P 攝像頭數(shù)據(jù),延遲低于 50ms,功耗較 GDDR6 方案降低 40%,成為自動(dòng)駕駛域控制器的優(yōu)選存儲(chǔ)方案。在阿里巴巴邊緣推理設(shè)備中,其 256GB/s 帶寬可支持 200MP 主攝的實(shí)時(shí) HDR 合成,處理速度較傳統(tǒng) LPDDR5X 方案提升 3 倍。

 

圖形渲染與高端計(jì)算

 

AMD Radeon Instinct MI100 加速器中,KHA883901B-MC12 通過 1024 位寬接口實(shí)現(xiàn) 1.2TB/s 的顯存帶寬,較 GDDR5X 方案提升 4 倍,顯著加速光線追蹤和 3D 建模效率。其低功耗特性也使其成為移動(dòng)工作站的理想選擇 —— 英特爾移動(dòng) PC 采用該方案后,圖形處理性能提升 60%,續(xù)航延長 2 小時(shí)。

 

數(shù)據(jù)中心與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備

 

在浪潮 AI 服務(wù)器中,KHA883901B-MC12 與英偉達(dá) A100 GPU 協(xié)同工作,可將數(shù)據(jù)庫查詢延遲從毫秒級(jí)壓縮至微秒級(jí),支持每秒百萬次并發(fā)訪問。其與 Rambus 合作開發(fā)的兼容內(nèi)存控制器,已應(yīng)用于 5G 核心網(wǎng)設(shè)備,實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包處理速度提升 3 倍。

 

四、市場競爭與生態(tài)布局

 

行業(yè)地位與技術(shù)對(duì)標(biāo)

 

三星 HBM2 Flarebolt 系列在全球 HBM 市場占據(jù)約 40% 份額,與 SK 海力士的 HBM2E 產(chǎn)品形成直接競爭。KHA883901B-MC12 256GB/s 帶寬雖略低于 SK 海力士 HBM2E 307GB/s,但憑借 15% 的成本優(yōu)勢(shì)和更高的兼容性,在 ODM 客戶中更具吸引力。例如,在阿里云服務(wù)器集群中,該產(chǎn)品的采購成本較競品低 12%,同時(shí)滿足 99.999% 的可靠性要求。

 

生態(tài)合作與場景拓展

 

三星通過HBM-PIM(存內(nèi)計(jì)算)技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品應(yīng)用邊界。與 SiPearl 合作開發(fā)的 Rhea 處理器中,KHA883901B-MC12 AI 處理單元集成至內(nèi)存芯片,實(shí)現(xiàn)卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN)推理性能提升 2.5 倍,能效比優(yōu)化 60%。此外,該產(chǎn)品已進(jìn)入華為昇騰生態(tài),為 Atlas 500 推理卡提供定制化存儲(chǔ)方案,在中國邊緣計(jì)算市場的份額從 2024 年的 18% 提升至 2025 年的 27%

 

五、行業(yè)影響與未來演進(jìn)

 

技術(shù)路徑的延續(xù)與突破

 

KHA883901B-MC12 驗(yàn)證了三星在 HBM2 技術(shù)上的成熟度,其 TSV 密度、功耗控制和兼容性設(shè)計(jì)為后續(xù) HBM3 研發(fā)奠定基礎(chǔ)。目前,三星正將該產(chǎn)品作為 HBM-PIM 技術(shù)的試驗(yàn)平臺(tái),計(jì)劃在 2025 年推出集成 AI 加速器的 HBM2E-PIM 產(chǎn)品,進(jìn)一步推動(dòng) “內(nèi)存即計(jì)算” 的架構(gòu)革新。

 

市場需求的驅(qū)動(dòng)與挑戰(zhàn)

 

隨著 AI 算力需求激增,HBM 市場預(yù)計(jì) 2025 年規(guī)模將突破 200 億美元。

 

KHA883901B-MC12 憑借高性價(jià)比和成熟生態(tài),在邊緣計(jì)算、工業(yè)控制等場景持續(xù)滲透。然而,SK 海力士憑借 HBM3E 的先發(fā)優(yōu)勢(shì),在高端 AI 服務(wù)器市場占據(jù) 70% 份額,三星需通過技術(shù)下沉和本地化生產(chǎn)(如西安工廠量產(chǎn))鞏固中端市場地位。

 

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的推動(dòng)與適配

 

該產(chǎn)品支持 JEDEC JESD235B 標(biāo)準(zhǔn),與 PCIe 4.0 CXL 1.1 接口無縫兼容,已成為邊緣 AI 設(shè)備的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。例如,在西門子工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,KHA883901B-MC12 Versal FPGA 協(xié)同實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)工業(yè)機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制,系統(tǒng)故障率降低 60%。這種 “存儲(chǔ) - 計(jì)算” 協(xié)同設(shè)計(jì),正在重塑工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)架構(gòu)。

 

總結(jié):

 

三星半導(dǎo)體 KHA883901B-MC12 HBM2 Flarebolt 技術(shù)為核心,在帶寬、能效和可靠性上達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。其廣泛的應(yīng)用場景和強(qiáng)大的生態(tài)兼容性,使其成為 AI 推理、圖形渲染和邊緣計(jì)算領(lǐng)域的關(guān)鍵使能技術(shù)。盡管面臨 SK 海力士 HBM3E 的競爭壓力,該產(chǎn)品通過技術(shù)迭代和本地化策略,持續(xù)鞏固三星在 HBM 市場的地位,并為下一代計(jì)算架構(gòu)的革新提供重要支撐。在 AI 算力需求爆發(fā)的背景下,KHA883901B-MC12 的成功驗(yàn)證了 HBM2 技術(shù)的長期生命力,也為行業(yè)提供了高性能存儲(chǔ)解決方案的落地范式。

 

  • 三星半導(dǎo)體K4A4G085WE-BIRC開發(fā)應(yīng)用全解析
  • K4A4G085WE-BIRC憑借高穩(wěn)定性、寬環(huán)境適應(yīng)性與靈活的開發(fā)適配性,為多領(lǐng)域嵌入式設(shè)備開發(fā)提供可靠內(nèi)存解決方案。開發(fā)者通過精準(zhǔn)匹配硬件設(shè)計(jì)、優(yōu)化軟件參數(shù),可充分發(fā)揮芯片性能,推動(dòng)設(shè)備從開發(fā)階段高效落地應(yīng)用。
    2025-08-28 50次
  • 三星半導(dǎo)體K4A4G085WE-BCTD開發(fā)指南
  • K4A4G085WE-BCTD擁有4GB大容量,采用512Mx8的組織形式,內(nèi)部設(shè)置16個(gè)存儲(chǔ)Bank,這為數(shù)據(jù)的高效存儲(chǔ)和快速訪問奠定了基礎(chǔ)。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)2666Mbps,配合同步操作模式,能極大縮短數(shù)據(jù)訪問延遲,適用于對(duì)數(shù)據(jù)處理速度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。額定工作電壓為1.2V,工作電壓允許范圍在1.14V至1.26V之間,在保障穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了較好的能源利用效率。工作溫度范圍處于0°C至85°C,寬泛的溫度區(qū)間使其能適應(yīng)多種工作環(huán)境。
    2025-08-28 52次
  • 三星半導(dǎo)體K4A4G085WE-BCRC參數(shù)特性詳析
  • 從內(nèi)存容量來看,K4A4G085WE-BCRC擁有4GB的大容量。這一容量規(guī)格為設(shè)備運(yùn)行提供了充足的空間,無論是日常辦公場景下多任務(wù)并行,如同時(shí)打開多個(gè)辦公軟件、瀏覽器多個(gè)頁面,還是運(yùn)行大型專業(yè)軟件,如3D建模、視頻剪輯工具等,都能輕松應(yīng)對(duì),確保系統(tǒng)流暢運(yùn)行,不會(huì)因內(nèi)存不足而出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象。
    2025-08-28 83次
  • 三星半導(dǎo)體 K4A4G085WE-BCPB:高性能 DDR4 內(nèi)存芯片
  • K4A4G085WE-BCPB 具備出色的性能表現(xiàn)。從內(nèi)存容量來看,它擁有 4GB 的大容量,能夠?yàn)樵O(shè)備提供充足的內(nèi)存空間,滿足多任務(wù)處理以及大型應(yīng)用程序運(yùn)行的需求。無論是運(yùn)行復(fù)雜的數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng),還是進(jìn)行大規(guī)模的數(shù)據(jù)運(yùn)算,這款芯片都能輕松應(yīng)對(duì)。在速度方面,它的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 2400Mbps,配合其同步操作模式,能夠極大地減少數(shù)據(jù)訪問的延遲,使系統(tǒng)能夠快速讀取和寫入數(shù)據(jù),顯著提升系統(tǒng)的整體運(yùn)行速度。這種高速的數(shù)據(jù)傳輸能力,對(duì)于那些對(duì)實(shí)時(shí)性要求極高的應(yīng)用場景,如實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析、視頻編輯渲染等,具有至關(guān)重要的意義。
    2025-08-28 102次
  • 三星 K4A4G045WE-BCTD 選型指南:DDR4 SDRAM 的工業(yè)級(jí)適配方案
  • K4A4G045WE-BCTD 采用 8n-bit 預(yù)取架構(gòu),內(nèi)部存儲(chǔ)單元以 8 倍于外部總線的速率讀取數(shù)據(jù),再通過雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)技術(shù),在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿分別傳輸數(shù)據(jù)。這一設(shè)計(jì)使外部數(shù)據(jù)速率達(dá)到內(nèi)部速率的 2 倍,在不提升外部時(shí)鐘頻率的情況下實(shí)現(xiàn)性能突破,減少高速信號(hào)傳輸中的干擾風(fēng)險(xiǎn),保障工業(yè)設(shè)備在復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
    2025-08-27 80次

    萬聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào),優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部