h1_key

  LT8652S雙通道同步單片降壓穩(wěn)壓器EMI，輸入范圍為3V至18V。兩個(gè)通道可以同時(shí)提供高達(dá)8.5A的連續(xù)電流，每個(gè)通道支持高達(dá)12A的負(fù)載。它具有峰值電流模式控制功能，最小接通時(shí)間僅為20ns，即使在高開關(guān)頻率下也能實(shí)現(xiàn)高壓降比。在高開關(guān)頻率下，快速、清潔、低過沖開關(guān)邊緣也能實(shí)現(xiàn)高效工作，從而縮小整體解決方案的尺寸。

  LT8652S具有低EMI和小解決方案尺寸，很少有解決方案能夠同時(shí)滿足這兩點(diǎn)。它采用專有的Silentswitcher，可以最大限度地降低EMI，在高開關(guān)頻率下提供高效率。在這種體系結(jié)構(gòu)下，旁路電容集成到封裝中，因此可以通過出廠設(shè)置優(yōu)化高di/dt回路布局。由于解決方案對應(yīng)用布局不敏感，因此很容易實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的EMI性能。LT8652S一般是一種適用于噪聲敏感應(yīng)用和環(huán)境的整體解決方案。

  對于電池供電的應(yīng)用來說，輕負(fù)載和無負(fù)載空閑時(shí)間的功耗是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，盡可能減少這種電流會(huì)延長電池的電池壽命。許多應(yīng)用程序大部分時(shí)間都是自由的。在burstmode模式下，lt8652s提供超低靜態(tài)電流，從而盡可能延長電池的使用壽命。集成頂部和底部n通道MOSFET有助于提高輕載效率。lt8652s還提供強(qiáng)制連續(xù)模式，可以通過擴(kuò)頻操作控制整個(gè)輸出負(fù)載范圍內(nèi)的頻率諧波，進(jìn)一步減少EMI輻射。

  LT8652S提供內(nèi)部和外部補(bǔ)償選項(xiàng)。內(nèi)部補(bǔ)償可以最大限度地減少外部部件的數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)更小的解決方案。外部補(bǔ)償通過VC引腳實(shí)現(xiàn)，在高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。VC引腳還可以簡化通道之間的均勻流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)并行單向輸出操作。為了進(jìn)一步擴(kuò)展現(xiàn)有功能，CLKOUT和SYNC引腳支持與其他LT8652S同步。LT8652S具有差分輸出電壓檢測功能，以確保在低壓和高電流應(yīng)用的負(fù)載下進(jìn)行嚴(yán)格的輸出電壓調(diào)節(jié)。

在某些高電流應(yīng)用中，需要使用輸出電流信息進(jìn)行遠(yuǎn)程測量和診斷。為了防止負(fù)載損壞，可能需要根據(jù)工作溫度限制或降低最大輸出電流。LT8652SIMON引腳可用于監(jiān)測和降低負(fù)載電流?；谪?fù)載或電路板溫度的降額電流可以通過在IMON和GND之間連接正溫度系數(shù)熱敏電阻來設(shè)置。LT8652S可以通過比較IMON引腳電壓和內(nèi)部1V參考電壓源來有效控制負(fù)載或電路板溫度。當(dāng)IMON降至1V以下時(shí)，控制功能無效。

  電路描述和功能

圖1顯示了具有2MHz開關(guān)頻率的3.6V至18V輸入、3.3V/8A和1.2V/8A的電源。每個(gè)通道可以提供最大12A連續(xù)負(fù)載電流。整個(gè)解決方案只需要幾個(gè)額外的組件，包括電感和幾個(gè)無源組件。圖2顯示圖1中的電路可以達(dá)到94%的峰值效率。

圖1基于LT862S的雙輸出12V到3.3V和1.2V同步降壓轉(zhuǎn)換器，具有超低EMI輻射。

圖2。12V輸入到3.3V/1.2V同步降壓轉(zhuǎn)換器的效率與負(fù)載電流之間的關(guān)系。

  差分電壓檢測提供嚴(yán)格的負(fù)載調(diào)整

  對于高電流應(yīng)用，每英寸PCB線路都會(huì)導(dǎo)致大壓降。這種壓降可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的問題，因?yàn)榈碗妷汉透唠娏髫?fù)載需要非常嚴(yán)格的輸出電壓。LT8652S提供差輸出電壓檢測功能，允許客戶構(gòu)建開爾文連接，實(shí)現(xiàn)輸出電壓檢測，直接從輸出電容反饋。它可以糾正最大±300mv的輸出接地線路電位。圖3顯示了圖1中兩個(gè)通道的負(fù)載調(diào)整。

圖3.負(fù)載調(diào)整和CVCC工作性能

  開關(guān)頻率高，超低EMI輻射，熱性能提高

在許多電子環(huán)境中，EMI/EMC的合規(guī)性已經(jīng)成為一個(gè)重要的考慮因素。LT8652S采用集成式MOSFET、先進(jìn)的工藝技術(shù)和高達(dá)3MHz的工作頻率，可以實(shí)現(xiàn)快速、清潔、低過沖開關(guān)邊緣，在高開關(guān)頻率下也可以實(shí)現(xiàn)高效工作，從而縮小整體解決方案的尺寸。LT8652S采用SilentSwitcher2技術(shù)和集成環(huán)路電容，可以提供高EMI性能，同時(shí)減少開關(guān)損耗。開關(guān)頻率擴(kuò)頻操作也有助于通過EMI測試。在不考慮電路板布局和布線層因素的情況下，采用集成環(huán)路電容。CISPR22和CISPR255級EMI性能。

CISPR22輻射EMI性能圖4.圖1

CISSPR25級輻射EMI性能圖5.圖1

LT8652S是一種易于使用的單片式降壓穩(wěn)定器，集成功率MOSFET，內(nèi)置補(bǔ)償電路。它優(yōu)化了高壓降比、高負(fù)載電流和低EMI噪聲要求的應(yīng)用。該解決方案提供了16μA靜態(tài)電流和Burstmode工作模式選項(xiàng)，非常適用于電池供電的降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，可顯著延長電池壽命。它具有300kHz至3MHz的開關(guān)頻率，因此適用于大多數(shù)工業(yè)和汽車應(yīng)用。集成MOSFET，再加上可用的3MHz開關(guān)頻率，使最終解決方案的尺寸明顯縮小。CISPR22和CISPR25的結(jié)果表明，其輻射EMI性能滿足最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)要求。最后，LT8652S的Silentswitcher2架構(gòu)使其性能不受布局變化和更新的影響。

LT852S

Silent Switcher®2 架構(gòu)：

 超低EMI可以在任何PCB上實(shí)現(xiàn)

 消除了PCB布局的敏感性

 內(nèi)部旁路電容器可以減少發(fā)射的EMI

 展示頻率(SSFM))

 每個(gè)通道可同步提供8.5ADC電流

 任何通道都能提供高達(dá)12A的電流

 超低靜態(tài)電流burstmod

 1VIN調(diào)節(jié)到3.3VOUT時(shí)為16(2通道)

 輸出波波-1mvp-p

 1.2%600mV反饋電壓(帶遠(yuǎn)程檢測功能)

 輸出電流監(jiān)測器引腳具有電流限制功能

 強(qiáng)制連續(xù)模式

 CLKOUT，用于高達(dá)4相行

 在1MHz頻率下，從1VIN提供6A，3.3VOUT輸出，效率為93.6%

 在1MHz頻率下，從1VIN提供6A，1.0VOUT輸出，效率為8.6%

 20ns快速最短開關(guān)接通時(shí)間

 可調(diào)且可同步：30kHz至3MHz

 LQFN封裝小型4mm×7mm

 AEC-Q100適用于汽車應(yīng)用的評估正在進(jìn)行中