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  延時效率問題

  在應用程序中可能存在死等延時的處理函數(用for或者do…while)。對比ST同樣的函數HK的芯片出現延時比ST慢，是因為HK的芯片在cpu和flash之間有一個4個word大小(編號為00，04，08，0c)的指令緩存，工程編譯之后，如果函數被存放到flash的地址的尾地址沒有從0開始的話，(比如函數的入口地址為0x08000004，會被放到編號04的字中，而不是編號0中)，就會出現執(zhí)行效率低的問題。

  如何避免這種問題呢?

  HK030/031/04A的應用筆記中有指導說明，今天在這里用一個例子詳細說明修改方法:

  比如用戶使用uint32_tGItimer=1000000;voidDelayTimer(void){uint32_t i;for(i=0;i

  修改如下:voidDelayTimer(void){ uint32_t i; FLASH->ACR&= ~(0x00000010); for(i=0;iACR |= 0x00000010; }

  這樣修改后，就可以使調用函數延時指令執(zhí)行效率與ST一樣。因此用戶在使用030/031/04A做開發(fā)時如果程序中存在這樣死等待的延時函數，如果在時效上想與ST接近，建議采用這種方式修改。