h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807
致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807
2022-12-06 795次


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807



ZL6807芯片是廣州致遠(yuǎn)微電子有限公司自行設(shè)計(jì)的大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器,采用先進(jìn)的CMOS工藝技術(shù)打造,采用SOT223封裝,僅需輸入輸出電容即可實(shí)現(xiàn)低壓差線性穩(wěn)壓功能。



致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807


  圖1 ZL6807典型應(yīng)用電路


  ZL6807是一款高達(dá)18V寬壓輸入的700mA線性穩(wěn)壓器,具有低靜態(tài)電流、高精度電壓輸出、良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率以及較高(PSRR)電源抑制比;且內(nèi)置快速放電電路,掉電時(shí)可啟動內(nèi)部快速放電電路使輸出快速放電,同事還具有欠壓、過流、短路和過溫等保護(hù)功能。非常適用于大電壓輸入的供電設(shè)備。

  注:VIN=VOUT+1.5V壓差下,最大輸出帶載電流為600mA;VIN=VOUT+2.5V壓差下,最大輸出帶載電流為800mA;700mA為3.3V輸出版本芯片在5V輸入供電下的最大輸出電流。


  壓差與靜態(tài)電流

ZL6807在600mA負(fù)載電流下壓差為1200mV(典型值),100mA電流下壓差為100mV(典型值)。


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807

圖2 壓差特性曲線


  ZL6807在全工作電壓范圍內(nèi)靜態(tài)電流為65μA(典型值)。


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807

  圖3 靜態(tài)電流特性曲線


  良好的調(diào)整率與瞬態(tài)響應(yīng)

  ZL6807輸入電壓在VOUT+1.5V~18V范圍內(nèi),線性調(diào)整率為0.32%(典型值)。輸出負(fù)載在100μA~600mA范圍內(nèi),負(fù)載調(diào)整率典型值為0.69%(典型值)。ZL6807在負(fù)載從100μA到600mA切換時(shí),輸出電壓變動25mV左右。良好的調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)讓ZL6807的輸出穩(wěn)定可靠。


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807

圖4 瞬態(tài)響應(yīng)特性曲線


  使能快速啟動與下電快速放電

  ZL6807具有快速掉電功能,當(dāng)輸入掉電符合輸出關(guān)閉條件時(shí),芯片電壓輸出關(guān)閉,同時(shí)啟動內(nèi)部快速放電電路,使輸出端的電容殘存電荷快速放電。此功能可以大大提高被供電電子系統(tǒng)的可靠性。


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807

圖5 滿載下快速啟動與快速掉電


  集成多保護(hù)功能

  芯片內(nèi)置欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù)電路,電源輸入電壓小于3V(典型值),穩(wěn)壓器內(nèi)部欠壓鎖定電路將禁用輸出。當(dāng)芯片輸出短路或者電流超過過流保護(hù)閾值,芯片將進(jìn)入過流保護(hù)狀態(tài),限制電流輸出。當(dāng)芯片溫度過高時(shí),芯片將過溫關(guān)斷,當(dāng)溫度下降到一定值時(shí),芯片將重新啟動。


  多種輸出電壓可選

  ZL6807系列產(chǎn)品有多種輸出電壓可選,常備型號有ZL6807A18S2(輸出1.8V),ZL6807A33S2(輸出3.3V),其他輸出電壓類型可接受定制。

表1 ZL6807型號信息


致遠(yuǎn)推出大電流寬壓輸入線性穩(wěn)壓器ZL6807
  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 詳細(xì)介紹
  • H5AN8G6NDJR-VKC展現(xiàn)出均衡且出色的性能。它擁有 8Gbit 的存儲容量,采用 512M x 16 的組織架構(gòu),這意味著其內(nèi)部包含 512M 個存儲單元,每個單元可進(jìn)行 16 位數(shù)據(jù)的并行處理,能夠滿足大量數(shù)據(jù)的存儲與快速調(diào)用需求。數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到 2400Mbps,配合 DDR4 技術(shù)特有的雙數(shù)據(jù)速率模式,在時(shí)鐘信號的上升沿和下降沿都能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸,大幅提升了數(shù)據(jù)吞吐能力,可快速響應(yīng)設(shè)備對數(shù)據(jù)的讀寫請求。
    2025-09-09 52次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 選型、賦能、開發(fā)簡介
  • 存儲容量:H5AN8G6NCJR-XNC 單顆芯片具備 8Gbit 的大容量,采用 512M x 16 的組織形式。對于一般辦公電腦,該容量足以支撐日常辦公軟件多開及基本多任務(wù)處理,實(shí)現(xiàn)流暢操作體驗(yàn)。但在大數(shù)據(jù)分析平臺、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等對數(shù)據(jù)存儲與運(yùn)算要求極為嚴(yán)苛的場景中,往往需要多顆芯片并行工作,以搭建起滿足需求的大容量內(nèi)存體系,確保海量數(shù)據(jù)的高效存儲與快速調(diào)用。
    2025-09-09 43次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介紹和選型要點(diǎn)
  • H5AN8G6NCJR-WMC 單顆芯片擁有 8Gbit 的大容量內(nèi)存,采用 512M x 16 的組織形式。這意味著它能夠存儲海量數(shù)據(jù),對于數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景而言,具有極大優(yōu)勢。例如在企業(yè)級服務(wù)器中,需要存儲和快速調(diào)用大量的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫文件等,該芯片的高容量特性可有效減少內(nèi)存擴(kuò)展的需求,降低硬件成本和系統(tǒng)復(fù)雜度。
    2025-09-09 31次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC:參數(shù)與應(yīng)用深度解析
  • 在 5G 基站的應(yīng)用中,H5AN8G6NCJR-VKC主要承擔(dān)基帶信號處理單元(BBU)的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存任務(wù)。在 Massive MIMO 技術(shù)的基站中,每根天線每秒產(chǎn)生的 I/Q 數(shù)據(jù)量高達(dá) 800MB,H5AN8G6NCJR-VKC 的高速帶寬能夠?qū)崟r(shí)緩存 4 個天線通道的并行數(shù)據(jù),配合 FPGA 完成波束賦形計(jì)算。其支持的 On-Die ECC(片上錯誤校驗(yàn))功能,可自動修正單比特錯誤,在信號干擾嚴(yán)重的城市密集區(qū),能將數(shù)據(jù)重傳率降低 30% 以上。
    2025-09-09 79次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC:高性能內(nèi)存芯片的獨(dú)特賦能與競品優(yōu)勢剖析
  • H5ANAG6NCJR-WMC 構(gòu)建于成熟且先進(jìn)的 DDR4 SDRAM 技術(shù)之上。DDR4 相較于 DDR3 實(shí)現(xiàn)了多維度的技術(shù)飛躍,其中核心電壓從 1.5V 降至 1.2V,這一關(guān)鍵變化不僅大幅降低了芯片的功耗,對于依賴電池供電的移動設(shè)備而言,顯著延長了續(xù)航時(shí)間;在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心,更是有效降低了能源成本。同時(shí),DDR4 引入的 Bank Group 架構(gòu),將內(nèi)存 bank 巧妙劃分為多個獨(dú)立組,允許數(shù)據(jù)請求并行處理,使得帶寬提升約 50%,為設(shè)備高效處理復(fù)雜數(shù)據(jù)任務(wù)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。芯片內(nèi)部集成的溫度傳感器與電源管理單元,猶如智能管家,實(shí)時(shí)監(jiān)測芯片狀態(tài)并動態(tài)調(diào)整運(yùn)行參數(shù),確保系統(tǒng)在各種復(fù)雜工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行,為設(shè)備的持續(xù)高效運(yùn)轉(zhuǎn)提供保障。
    2025-09-08 93次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部