h1_key

當(dāng)前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 行業(yè)資訊>英飛凌>英飛凌IGBT命名規(guī)則
英飛凌IGBT命名規(guī)則
2022-12-12 724次

  英飛凌在全球擁有約 50,280 名員工,2021財(cái)年?duì)I收額達(dá)到110.60億歐元,同比增長(zhǎng)29%,總運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)達(dá)到20.72億歐元,運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率為18.7% 。英飛凌分為四個(gè)部門(mén),這些部門(mén)負(fù)責(zé)各自核心競(jìng)爭(zhēng)力的特定領(lǐng)域。汽車(chē)部門(mén)負(fù)責(zé)與汽車(chē)電子相關(guān)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。工業(yè)電源控制部門(mén)專(zhuān)注于主要用于工業(yè)應(yīng)用的功率半導(dǎo)體,而電源和傳感器系統(tǒng)部門(mén)則主要解決面向消費(fèi)者的應(yīng)用和電源。與新安全應(yīng)用程序相關(guān)的活動(dòng)被整合到互聯(lián)安全系統(tǒng)部門(mén)。

  由于英飛凌的元器件種類(lèi)繁多,英飛凌IGBT命名規(guī)則命名規(guī)則較復(fù)雜,導(dǎo)致很多新入行的工程師和采購(gòu)會(huì)無(wú)從下手。為此整理了英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則參考。


  先來(lái)看下英飛凌IGBT模塊的一般命名原則:




英飛凌IGBT命名規(guī)則





  其中,常見(jiàn)的拓?fù)湫问接校?/strong>







  常見(jiàn)的封裝形式有:








  常見(jiàn)的模塊特征位變量有:







  至于最后的結(jié)構(gòu)變量,一般以B開(kāi)頭,比如B11,B15,B26等,就更加復(fù)雜了,詳見(jiàn)下列不同封裝形式命名詳解。圖片點(diǎn)擊可放大!


  EASY模塊命名規(guī)則



 Econo 模塊命名規(guī)則




  34mm&62mm命名規(guī)則



  EconoPACK? 4


  EconoDUAL? 3 命名規(guī)則



  EconoPACK?+





  PrimePACK?



 IHM Cu/AlSiC



  XHP


  IHV




  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車(chē)電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開(kāi)發(fā)可靠的汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開(kāi)發(fā)。通過(guò)該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶(hù)可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開(kāi)發(fā)工作量。
    2023-10-30 375次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 378次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 409次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車(chē)充電站的效率。
    2023-10-12 356次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 430次
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)