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超低功耗GW8811藍(lán)牙芯片
2022-12-15 659次

  可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，驅(qū)動(dòng)藍(lán)牙設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng)。據(jù)Gartner數(shù)據(jù)分析，預(yù)計(jì)到2023年，全球物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備將達(dá)到200億臺(tái)， 藍(lán)牙設(shè)備出貨量將達(dá)到54億臺(tái)。藍(lán)牙作為無(wú)線連接的核心技術(shù)，是加速物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線布局的重要?jiǎng)恿Α?/span>

  極海GW8811低功耗藍(lán)牙4.2芯片，基于ARMCortex-M0內(nèi)核，主頻64MHz，F(xiàn)lash 512Kbytes，SRAM 32 Kbytes，具有低功耗、高集成、高性價(jià)比等特點(diǎn)，適用于智能穿戴、智能家居、藍(lán)牙遙控、健康應(yīng)用、人機(jī)接口設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。


  藍(lán)牙手環(huán)應(yīng)用


超低功耗GW8811藍(lán)牙芯片


  低功耗—BLE產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心要求

  因體積限制，物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線設(shè)備要實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)久運(yùn)行，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中就要充分考慮能耗問(wèn)題。目前，GW8811在射頻、電源管理和系統(tǒng)控制等功能上都具有超低功耗優(yōu)勢(shì)，可有效滿足藍(lán)牙設(shè)備的低功耗運(yùn)行需求。


超低功耗GW8811藍(lán)牙芯片


  高集成—有助于實(shí)現(xiàn)BLE產(chǎn)品小體積設(shè)計(jì)

  GW8811集成Balun，無(wú)需片外阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)和外掛晶振負(fù)載電容，可最大限度地節(jié)省BOM成本和PCB面積;集成高性能2.4GHz藍(lán)牙射頻收發(fā)機(jī)、藍(lán)牙調(diào)制解調(diào)器以及DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，可在最小能耗范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)工作效率最大化。

  · 晶體振蕩器(32MHz，32.768KHz)

  · RC振蕩器(64MHz，32.768KHz )

  · GPIO功能可支持任何配置

  · 支持ISO7816接口、紅外發(fā)射和接收

  · 支持OTA空中升級(jí)功能

  · 支持SWD在線仿真和調(diào)試

  外設(shè)資源豐富—可實(shí)現(xiàn)廣泛的連接

  GW8811具有I2C、SPI、UART等通信接口;提供RTC、PWM、8通道10位ADC、GPIO 、SWD調(diào)試端口、定時(shí)器、鍵盤(pán)解碼器、正交解碼器等豐富的外設(shè)資源，有助于提升設(shè)備通信功能，實(shí)現(xiàn)廣泛的連接。

  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 詳細(xì)介紹
    • H5AN8G6NDJR-VKC展現(xiàn)出均衡且出色的性能。它擁有 8Gbit 的存儲(chǔ)容量，采用 512M x 16 的組織架構(gòu)，這意味著其內(nèi)部包含 512M 個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元可進(jìn)行 16 位數(shù)據(jù)的并行處理，能夠滿足大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與快速調(diào)用需求。數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到 2400Mbps，配合 DDR4 技術(shù)特有的雙數(shù)據(jù)速率模式，在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸，大幅提升了數(shù)據(jù)吞吐能力，可快速響應(yīng)設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)請(qǐng)求。
    2025-09-09 53次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 選型、賦能、開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)介
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    2025-09-09 43次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介紹和選型要點(diǎn)
    • H5AN8G6NCJR-WMC 單顆芯片擁有 8Gbit 的大容量?jī)?nèi)存，采用 512M x 16 的組織形式。這意味著它能夠存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)，對(duì)于數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景而言，具有極大優(yōu)勢(shì)。例如在企業(yè)級(jí)服務(wù)器中，需要存儲(chǔ)和快速調(diào)用大量的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)文件等，該芯片的高容量特性可有效減少內(nèi)存擴(kuò)展的需求，降低硬件成本和系統(tǒng)復(fù)雜度。
    2025-09-09 32次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC：參數(shù)與應(yīng)用深度解析
    • 在 5G 基站的應(yīng)用中，H5AN8G6NCJR-VKC主要承擔(dān)基帶信號(hào)處理單元（BBU）的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存任務(wù)。在 Massive MIMO 技術(shù)的基站中，每根天線每秒產(chǎn)生的 I/Q 數(shù)據(jù)量高達(dá) 800MB，H5AN8G6NCJR-VKC 的高速帶寬能夠?qū)崟r(shí)緩存 4 個(gè)天線通道的并行數(shù)據(jù)，配合 FPGA 完成波束賦形計(jì)算。其支持的 On-Die ECC（片上錯(cuò)誤校驗(yàn)）功能，可自動(dòng)修正單比特錯(cuò)誤，在信號(hào)干擾嚴(yán)重的城市密集區(qū)，能將數(shù)據(jù)重傳率降低 30% 以上。
    2025-09-09 79次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC：高性能內(nèi)存芯片的獨(dú)特賦能與競(jìng)品優(yōu)勢(shì)剖析
    • H5ANAG6NCJR-WMC 構(gòu)建于成熟且先進(jìn)的 DDR4 SDRAM 技術(shù)之上。DDR4 相較于 DDR3 實(shí)現(xiàn)了多維度的技術(shù)飛躍，其中核心電壓從 1.5V 降至 1.2V，這一關(guān)鍵變化不僅大幅降低了芯片的功耗，對(duì)于依賴電池供電的移動(dòng)設(shè)備而言，顯著延長(zhǎng)了續(xù)航時(shí)間；在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，更是有效降低了能源成本。同時(shí)，DDR4 引入的 Bank Group 架構(gòu)，將內(nèi)存 bank 巧妙劃分為多個(gè)獨(dú)立組，允許數(shù)據(jù)請(qǐng)求并行處理，使得帶寬提升約 50%，為設(shè)備高效處理復(fù)雜數(shù)據(jù)任務(wù)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。芯片內(nèi)部集成的溫度傳感器與電源管理單元，猶如智能管家，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片狀態(tài)并動(dòng)態(tài)調(diào)整運(yùn)行參數(shù)，確保系統(tǒng)在各種復(fù)雜工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行，為設(shè)備的持續(xù)高效運(yùn)轉(zhuǎn)提供保障。
    2025-09-08 93次

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