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車載IPD芯片性能技術(shù)
2023-03-09 1257次

  智能功率元器件,IPD芯片,Intelligent Power Device,是一種單片功率IC,在單一芯片上集成了輸出階段的功率MOSFET或IGBT以及控制輸出階段的一個(gè)電路。IPD具有緊湊、輕量和功率高效的特點(diǎn),且不受接觸磨損限制,從而形成帶自保護(hù)功能的高度可靠系統(tǒng),在汽車電子中有著廣闊的應(yīng)用空間。


  高壓IPD與低壓IPD

  所謂智能功率元器件,這類器件可代替人工來完成復(fù)雜的功率控制,因此它被賦予智能的特征。常見的保護(hù)功能有我們熟悉的欠電壓保護(hù)、過電壓保護(hù)、過電流及短路保護(hù)、過熱保護(hù)等。此外,在某些智能功率器件中還具有輸出電壓過沖保護(hù)、瞬態(tài)電流限制、軟啟動和最大輸入功率限制等保護(hù)電路,可以大大提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。根據(jù)羅姆給出的數(shù)據(jù),目前IPD在工業(yè)市場上規(guī)模已經(jīng)達(dá)到了約2.18億美元,在車載市場上的需求量也是日益增長,年增長幅度超過7.3億美元。IPD也有高壓與低壓之分,車用、工業(yè)用的低壓IPD又分高邊與低邊,高邊IPD是位于電源和負(fù)載之間的開關(guān),低邊IPD位于負(fù)載和GND之間。低壓IPD在正常工作、過流工作、熱關(guān)斷狀態(tài)以及開路狀況下會有不同的工作真值。檢測到異常情況,IPD診斷功能會驅(qū)動DIAG端為高電平或低電平。當(dāng)過流保護(hù)、熱關(guān)斷或開路負(fù)載檢測跳閘時(shí),會發(fā)出異常情況信號。通過MCU或邏輯電路處理輸入并診斷輸出信號,可識別IPD中的異常情況。高壓IPD專門用于驅(qū)動BLDC電機(jī),高壓IPD通過霍爾效應(yīng)器件、霍爾效應(yīng)傳感器和一個(gè)控制IC接收控制信號。高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動IC需要非常高的電壓,此電壓等于高壓電源和柵極-源極電壓之和。由于低壓側(cè)控制信號不能直接驅(qū)動高邊柵極驅(qū)動IC,因此高壓IPD需要配一個(gè)電平轉(zhuǎn)換驅(qū)動IC來控制信號從低壓電路傳輸至高壓電路。高壓IDP可以配合與高壓兼容的小型貼片式封裝進(jìn)一步減小安裝面積,比如東芝的智能功率高壓IPD系列采用的SSOP30和HSSOP31封裝,該系列的高壓IPD也采用新的高擊穿電壓SOI工藝進(jìn)一步降低了損耗。


車載IPD芯片性能技術(shù)

  高壓IPD,東芝

  IPD的低導(dǎo)通電阻與高散熱能力

  如同其他功率器件,IPD的導(dǎo)通電阻和散熱能力一直是相互制約的,想要實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更高的散熱能力想要居中權(quán)衡,尤其是在IPD現(xiàn)在小型化的趨勢下,實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高散熱能力愈發(fā)困難。近期羅姆面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的8款I(lǐng)PD通過獨(dú)家的TDACC工藝在導(dǎo)通電阻和散熱上實(shí)現(xiàn)了較好的平衡。


車載IPD芯片性能技術(shù)

  羅姆羅姆的工藝可以將溝槽MOS和CMOS集成在同一芯片當(dāng)中,這有利于降低導(dǎo)通電阻,而TDACC技術(shù)可以讓IPD產(chǎn)品具有熱分散式有源鉗位電路。簡單來說在正常工作時(shí),TDACC使得流過電流通道多實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,但是在有源鉗位功能發(fā)揮作用的時(shí)候,TDACC通過電路控制使得工作的柵極變少,以此實(shí)現(xiàn)高的散熱能力。而在封裝上,羅姆則根據(jù)功率器件散熱性要求開發(fā)了固晶材料,在封裝上保證IPD良好的散熱性。

  良好的導(dǎo)通電阻特性有利于IPD在啟動時(shí)可能發(fā)生故障的應(yīng)用里發(fā)揮更有效的作用,通過低損耗技術(shù)和新制造工藝進(jìn)一步降低損耗值并保證散熱性,能大大提高器件可靠性拓展IPD在汽車電子中的應(yīng)用,提升整車的器件保護(hù)性能。

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