模擬開關芯片是一種利用JFET或MOS的特性來控制信號通路的開關,主要用于完成信號鏈接連接或斷開的轉換功能。由于其功耗低、速度快、無機械接觸、體積小、使用壽命長,廣泛應用于各種自動控制系統(tǒng)和電子數碼產品中。
傳統(tǒng)CMOS工藝模擬開關的結構如圖1所示。將NMOS與PMOS并聯(lián),使信號在兩個方向上平穩(wěn)通過。門極用于控制開關的導通和截至。當Vgs為正時,NMOS導通,當Vgs為負時,PMOS則相反。
由于PMOS和NMOS的差異,它們組成的開關具有如圖所示的特點。NMOS和PMOS之間的信號電流量取決于輸入和輸出電壓比。由于開關不會選擇電流流向,因此輸入端和輸出端之間沒有區(qū)別。 兩個MOSFET由內部反相與同相邏輯控制下導通或斷開。CMOS開關的好處是軌到軌的動態(tài)范圍,雙向操作,在輸入電壓變化時,導通電阻保持不變。
圖1 典型模擬開關內部結構圖
靜態(tài)參數(導通電阻,漏電流,邏輯控制觸發(fā)電平):①導通電阻RON,不同通道導通電阻的差異?RON,導通電阻的平坦度RFLAT(ON)導通電阻會導致信號有損失,尤其是當開關串聯(lián)的負載為低阻抗時損失更大。應用中應根據實際情況選擇導通電阻合適的開關。特別需要注意,導通電阻的阻值與電源供電電壓有直接關系,通常電源電壓越大,導通電阻就越小。
圖2 CMOS型模擬開關導通電阻特性曲線
NMOS管在信號比較低時的導通電阻較小,而PMOS管則在輸入信號較高時的導通電阻較小,兩個電阻并聯(lián)后,則在整個信號的有效范圍內都比較低。
②漏電流Leakage Current :一個理想狀態(tài)的開關要求導通狀態(tài)下的電阻為零,斷開狀態(tài)下導通電阻趨于無限大,漏電流為零;而實際上開關斷開時為高阻狀態(tài),漏電流不為零,常規(guī)的CMOS漏電流約1nA左右。開關斷開時,漏電流會流入負載,從而引起額外的誤差。如果信號源內阻很高,傳輸信號為直流量,就特別需要考慮模擬開關的漏電流,一般希望漏電流越小越好。
需要注意,如果通過模擬開關前端電路的阻抗大則漏電流的影響不容忽略,如果前端電路阻抗較小,則導通電阻的影響就會更大些。
圖3 開關導通狀態(tài)下的等效電路
圖4 開關斷開狀態(tài)下的等效電路(VOUT = ILKG × RL)
③邏輯控制觸發(fā)電平VIH,VIL:VIH:可以被模擬開關識別成邏輯高電平的最小電平值VIL:可以被模擬開關識別成邏輯低電平的最大電壓值。
動態(tài)參數(導通\斷開時間,傳輸延遲,電荷注入,管腳電容,最大數據速率,隔離度等)
①Ton/Toff:開關接收到數字控制管腳的導通或斷開信號后,輸出真正反映輸入信號導通或斷開所需要的時間。
圖5 Turn on&Turn off 時間
②T-break-before-make:這個指標大部分針對單刀多擲的模擬開關而言的,比如對于一個1:2的模擬開關(SPDT),它的定義是從斷開一個開關到打開另一個開關的時間。
圖6 Break-Before-Make時間
③T-make-before-break:與上面的參數類似,從打開開關到斷開另外一個開關的時間。
④切換時間:T transition time:從一個輸入通道切換到另一個輸入通道后,輸出需要的切換時間。
⑤T enable/disable time:輸入通道在使能和禁止時,所需要的的時間。
⑥Propagation delay:信號出現在輸入通道后,出現在輸出通道的時間差。
⑦電荷注入:用于衡量模擬開關在進行開和斷操作時由于電荷的放電,導致出現在開關輸出的毛刺電壓。原理是開關導通時,對電容進行充電斷開時,儲存的電荷進行放電。對源端的放電不會引入誤差,而對負載端的放電則會引入誤差。顯而易見,電荷注入會帶來增益誤差和直流失調誤差。
⑧管腳寄生電容Cs(on),Cd(on),Cs(off),Cd(off),C in Cs(on) 導通時輸入電容Cd(on) 導通時輸出電容;Cs(off) 斷開時的輸入電容;Cd(off) 斷開時的輸出電容;C in 數字控制引腳上的寄生電容。
⑨-3dB帶寬 -3dB Bandwidth:開關導通時,增益衰減3dB的時候,可導通信號的頻率被定義為帶寬。
⑩隔離度Off Isolation:當開關斷開時,理想狀態(tài)下,輸出不應出現輸入信號,實際上在輸出會有與輸入信號頻率一樣的信號,這是由于輸入輸出間的寄生電容引起的。隔離度參數越大越好,表示輸出端耦合過去的信號越小。
?串擾Crosstalk:對于2:1的復用器,當其中通道1導通時,通道2上會耦合出通道1的信號,Crosstalk用于衡量耦合信號的大小,參數值越大,表示耦合過去的信號幅值越小。
?總諧波失真 Total Harmonic Distort:一些音頻的信號處理對THD要求嚴格,THD定義為,信號功率與諧波及噪聲的dB比值。測試時給開關輸入一個正弦波,開關的輸出會包含基波以及各次諧波,要注意的是導通電阻的平坦度也會影響THD的指標。