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  什么是BCD芯片工藝呢?

  BCD芯片工藝是1986年由ST首次推出的一種單晶片集成工藝技術(shù)，可以在一塊襯底上同時(shí)集成Bipolar, CMOS和DMOS。它的出現(xiàn)大大地減小了芯片的面積。

圖1：BCD工藝

BCD工藝充分發(fā)揮了Bipolar驅(qū)動(dòng)能力、CMOS高集成度和低功耗、DMOS高壓大電流通流能力的優(yōu)勢。其中，DMOS是提升功率和集成度的關(guān)鍵。

  BCD工藝電源芯片的發(fā)展

  由BCD工藝制成的電源管理芯片的發(fā)展主要源自制程和封裝的進(jìn)步。兩者合力將芯片朝逐漸小型化方向推動(dòng)。

圖2：BCD電源芯片

  BCD工藝制程

  BCD工藝制程近年來得到了飛速的發(fā)展，其發(fā)展充分符合摩爾定律的規(guī)律，制程也從最初的500nm提升到現(xiàn)在的55nm，功率密度隨之得到了極大的提升，同時(shí)也大大減小了芯片面積。

  封裝工藝

  隨著制程的進(jìn)步，芯片的面積隨之縮小，這也對電源管理芯片的散熱提出挑戰(zhàn)，為了解決散熱問題，電源管理芯片的封裝就從傳統(tǒng)的打線式SOIC、QFN等逐步邁進(jìn)到Flip Chip、甚至是扇出型等先進(jìn)封裝。

圖3：芯片封裝變革

圖4：3A DC-DC封裝進(jìn)化史

  因此，我們看到在芯片的晶粒尺寸隨著BCD工藝制程提升而不斷縮小的同時(shí)，封裝工藝的提升也使得芯片大小更逼近晶體本體大小。