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  介紹在BUCK芯片電路設(shè)計(jì)過(guò)程中的為了保護(hù)電源以及后端器件的安全所采取的一些保護(hù)措施。

  1. Feedback

  介紹簡(jiǎn)單Buck芯片電路的信號(hào)從輸入到輸出只有一個(gè)方向，輸出電壓與輸入電壓之間不存在反饋，稱(chēng)為開(kāi)環(huán)電路;而通常情況下，都會(huì)希望輸入電壓能根據(jù)輸出電壓的變化做出合適的調(diào)整，因而提出負(fù)反饋電路，通過(guò)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行監(jiān)測(cè)并將其與輸入信號(hào)進(jìn)行比較，進(jìn)而根據(jù)其差值控制輸入信號(hào)的增減達(dá)到反饋控制的目的。如圖所示采用兩個(gè)分壓電阻獲取反饋電壓，并將其與Vref進(jìn)行比較，通過(guò)PWM模塊控制電路開(kāi)關(guān)，從而形成負(fù)反饋。

  2. ESD -- Electrostatic Discharge

  ESD指不同靜電勢(shì)下人體或者物體表面之間的靜電電荷轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，類(lèi)似于靜電的現(xiàn)象在生活中其實(shí)很常見(jiàn)，比如冬天手摸金屬門(mén)把手，脫毛衣等都會(huì)感覺(jué)到被電了一下，ESD的電壓范圍為1V~15KV，而且在1~10ns的時(shí)間內(nèi)全部釋放，因此如果不采取任何保護(hù)措施，芯片將隨時(shí)暴露在ESD的威脅之下，其可靠性也會(huì)大打折扣。

  因此，在設(shè)計(jì)芯片時(shí)，考慮到ESD高電壓，持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn)，在各引腳之間加上增加二極管，前面提到過(guò)二極管的特性，在ESD發(fā)生時(shí)，二極管被擊穿，從而在芯片主電路的外圍形成一個(gè)低阻通路，使電流繞過(guò)主電路流向地(GND)，從而達(dá)到保護(hù)芯片的目的。

  3. UVLO -- Under voltage Lock Out protection

  UVLO通過(guò)監(jiān)測(cè)Vin的輸入電壓，檢測(cè)其是否滿(mǎn)足內(nèi)部電路的工作電壓，當(dāng)電壓低于UVLO的閾值電壓時(shí)，芯片將處于關(guān)斷狀態(tài)。

  4. Soft start

當(dāng)EN使能，芯片開(kāi)始工作，輸出電壓隨緩慢上升，以防止產(chǎn)生電壓尖峰(spike)。

  5. OVP -- over voltage protection

  OVP用于檢測(cè)輸出電壓是否過(guò)高，當(dāng)輸出電壓超過(guò)目標(biāo)電壓的一定百分比之后，OVP比較器將會(huì)輸出高電平，芯片將會(huì)被關(guān)斷并且等待一段時(shí)間后，輸出端將會(huì)被釋放電壓，當(dāng)過(guò)壓狀態(tài)解除，電路將恢復(fù)正常工作。

  7. TSD -- Thermal shutdown

  TSD用于監(jiān)測(cè)內(nèi)部die的溫度，當(dāng)溫度超過(guò)閾值溫度時(shí)，芯片將關(guān)斷，且輸出端將進(jìn)行放電，當(dāng)溫度低于閾值電壓時(shí)，芯片將重新switching，恢復(fù)正常工作狀態(tài)。

  8. Over currentProtection

  當(dāng)負(fù)載電流高于過(guò)流閾值時(shí)，電流將會(huì)被限制，并且當(dāng)過(guò)流狀態(tài)移除之后，輸出將恢復(fù)正常。

  之后，所有的保護(hù)電路都將作為PWM的輸入，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的switching狀態(tài)，達(dá)到控制芯片輸出電壓和電流的目的。