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  氮化鎵(GaN)是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉(zhuǎn)換解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。

▲GaN晶體管優(yōu)點(diǎn)

  與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢?GaN在品質(zhì)因數(shù)(FoM)、導(dǎo)通電阻 (RDS(on))和總柵電荷(QG)方面的表現(xiàn)更出色，提供高漏源電壓能力、零反向恢復(fù)電荷(在共源共柵器件中可以忽略)和極低的本征電容。先進(jìn)的GaN技術(shù)解決方案可以提高功率轉(zhuǎn)換效率，在滿足極其嚴(yán)格的能源要求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，它的工作頻率更高，器件外觀更為緊湊。

  意法半導(dǎo)體最近宣布，已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT?晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導(dǎo)通/關(guān)斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，兩款新GaN晶體管還能實(shí)現(xiàn)更高的能效、更低的工作溫度和更長的使用壽命。

意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)過渡。GaN晶體管的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻RDS(on)與硅基晶體管相同，而總柵極電荷和寄生電容更低，且無反向恢復(fù)電荷。這些特性提高了晶體管的能效和開關(guān)性能，可以用更小的無源器件實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，提高功率密度。因此應(yīng)用設(shè)備可以變得更小，性能更高。未來，GaN還有望實(shí)現(xiàn)新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效，并降低功耗。

  意法半導(dǎo)體PowerGaN分立器件的產(chǎn)能充足，能夠支持客戶快速量產(chǎn)需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL現(xiàn)已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。