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捷捷微電的快恢復(fù)二極管
2024-01-05 387次

  捷捷微電的快恢復(fù)二極管可以提供高功率密度，同時還能帶來最小的反向恢復(fù)時間和功率損耗。非常適用于消費、工業(yè)及汽車充電市場中的高效開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

  

 

 

  FRED (外延快恢復(fù)二極管)

FRED (外延快恢復(fù)二極管)是用外延片、離子注入工藝制備的高性能快速二極管，其特點是較普通快恢復(fù)二極管(FRD)開關(guān)速度更快、具有較小的恢復(fù)電荷 Qrr 和反向恢復(fù)電流 IRRM、參數(shù)更精確、開關(guān)損耗以及軟度更優(yōu)。常用來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。

 

  產(chǎn)品路線規(guī)劃

  

 

 

 

  產(chǎn)品特性

  ●超快的恢復(fù)時間

  ●軟恢復(fù)特性保證出色的 EMI 特性

  ●優(yōu)秀的抗雪崩能力

  ●超低漏電設(shè)計高溫下具有更高的可靠性

  ●浪涌電流能力強


  產(chǎn)品應(yīng)用

  ●UPS

  ●逆變焊機

  ●空調(diào) PFC

  ●智能電視電源 PFC

  ●EV 充電裝置 LLC

  ●太陽能逆變器 MPPT


  

 

 

 

  1. 捷捷微電 快恢復(fù)二極管 應(yīng)用于空調(diào) PFC

  

 

 

  2. 捷捷微電 快恢復(fù)二極管 應(yīng)用于充電樁

  

 

 

 

  3. 捷捷微電 快恢復(fù)二極管 應(yīng)用于 MPPT

  

  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 詳細(xì)介紹
    • H5AN8G6NDJR-VKC展現(xiàn)出均衡且出色的性能。它擁有 8Gbit 的存儲容量，采用 512M x 16 的組織架構(gòu)，這意味著其內(nèi)部包含 512M 個存儲單元，每個單元可進(jìn)行 16 位數(shù)據(jù)的并行處理，能夠滿足大量數(shù)據(jù)的存儲與快速調(diào)用需求。數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到 2400Mbps，配合 DDR4 技術(shù)特有的雙數(shù)據(jù)速率模式，在時鐘信號的上升沿和下降沿都能實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸，大幅提升了數(shù)據(jù)吞吐能力，可快速響應(yīng)設(shè)備對數(shù)據(jù)的讀寫請求。
    2025-09-09 52次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 選型、賦能、開發(fā)簡介
    • 存儲容量：H5AN8G6NCJR-XNC 單顆芯片具備 8Gbit 的大容量，采用 512M x 16 的組織形式。對于一般辦公電腦，該容量足以支撐日常辦公軟件多開及基本多任務(wù)處理，實現(xiàn)流暢操作體驗。但在大數(shù)據(jù)分析平臺、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等對數(shù)據(jù)存儲與運算要求極為嚴(yán)苛的場景中，往往需要多顆芯片并行工作，以搭建起滿足需求的大容量內(nèi)存體系，確保海量數(shù)據(jù)的高效存儲與快速調(diào)用。
    2025-09-09 43次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介紹和選型要點
    • H5AN8G6NCJR-WMC 單顆芯片擁有 8Gbit 的大容量內(nèi)存，采用 512M x 16 的組織形式。這意味著它能夠存儲海量數(shù)據(jù)，對于數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景而言，具有極大優(yōu)勢。例如在企業(yè)級服務(wù)器中，需要存儲和快速調(diào)用大量的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫文件等，該芯片的高容量特性可有效減少內(nèi)存擴展的需求，降低硬件成本和系統(tǒng)復(fù)雜度。
    2025-09-09 31次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC：參數(shù)與應(yīng)用深度解析
    • 在 5G 基站的應(yīng)用中，H5AN8G6NCJR-VKC主要承擔(dān)基帶信號處理單元（BBU）的臨時數(shù)據(jù)緩存任務(wù)。在 Massive MIMO 技術(shù)的基站中，每根天線每秒產(chǎn)生的 I/Q 數(shù)據(jù)量高達(dá) 800MB，H5AN8G6NCJR-VKC 的高速帶寬能夠?qū)崟r緩存 4 個天線通道的并行數(shù)據(jù)，配合 FPGA 完成波束賦形計算。其支持的 On-Die ECC（片上錯誤校驗）功能，可自動修正單比特錯誤，在信號干擾嚴(yán)重的城市密集區(qū)，能將數(shù)據(jù)重傳率降低 30% 以上。
    2025-09-09 79次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC：高性能內(nèi)存芯片的獨特賦能與競品優(yōu)勢剖析
    • H5ANAG6NCJR-WMC 構(gòu)建于成熟且先進(jìn)的 DDR4 SDRAM 技術(shù)之上。DDR4 相較于 DDR3 實現(xiàn)了多維度的技術(shù)飛躍，其中核心電壓從 1.5V 降至 1.2V，這一關(guān)鍵變化不僅大幅降低了芯片的功耗，對于依賴電池供電的移動設(shè)備而言，顯著延長了續(xù)航時間；在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，更是有效降低了能源成本。同時，DDR4 引入的 Bank Group 架構(gòu)，將內(nèi)存 bank 巧妙劃分為多個獨立組，允許數(shù)據(jù)請求并行處理，使得帶寬提升約 50%，為設(shè)備高效處理復(fù)雜數(shù)據(jù)任務(wù)奠定了堅實基礎(chǔ)。芯片內(nèi)部集成的溫度傳感器與電源管理單元，猶如智能管家，實時監(jiān)測芯片狀態(tài)并動態(tài)調(diào)整運行參數(shù)，確保系統(tǒng)在各種復(fù)雜工作條件下都能穩(wěn)定運行，為設(shè)備的持續(xù)高效運轉(zhuǎn)提供保障。
    2025-09-08 93次

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