h1_key

當前位置:首頁 >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>PNI RM3100三維地磁測量傳感器套件詳細介紹
PNI RM3100三維地磁測量傳感器套件詳細介紹
2025-05-29 366次

PNI RM3100四件套是一款高精度三維地磁測量傳感器套件,由MagI2C控制器(PNI13156)、Z軸傳感器(PNI13101)和雙X/Y軸傳感器(PNI13104)組成,支持±800uT量程、13nT分辨率和低至15nT的噪聲水平。其緊湊的表貼封裝和SPI/I2C接口設計便于集成,廣泛應用于無人機導航、智能交通車輛檢測、工業(yè)金屬異物監(jiān)測及捷聯(lián)慣性導航系統(tǒng)(SINS)等領域,以高穩(wěn)定性和低功耗特性成為地磁傳感領域的核心解決方案。其核心組成及性能特點如下:

 

?一、硬件組成

?

?PNI13156(MagI2C控制器)?:1個,采用正方形封裝,作為ASIC芯片負責信號處理與通信控制,支持I2C/SPI接口,協(xié)調(diào)傳感器數(shù)據(jù)采集。

 

?PNI13101(Z軸傳感器)?:1個,圓柱形封裝,用于垂直方向(Z軸)磁場測量,垂直靈敏度覆蓋范圍為±800uT。

 

?PNI13104(X/Y軸傳感器)?:2個,長方形封裝,分別測量水平面(X/Y軸)磁場,共同構成三維空間的全向磁場檢測能力。

 

硬件架構:

 

MagI2C 控制芯片(PN13156)

 

功能:作為核心處理器,負責傳感器驅(qū)動、數(shù)據(jù)整合及通信協(xié)議管理。

 

接口:支持 I2C 和 SPI 雙協(xié)議,兼容主流微控制器。

 

尺寸:4.0×4.0×0.75 mm(超小封裝,適合嵌入式設計)。

 

X/Y軸磁傳感器(Sen-XY-f, PN13104×2)

 

結構:長方形設計,分別檢測水平面(X與Y軸)磁場分量。

 

尺寸:6.0×2.1×2.2 mm。

 

Z軸磁傳感器(Sen-Z-f, PN13101)

 

結構:圓柱形,專用于垂直方向(Z軸)磁場測量,與XY軸傳感器正交布局。

 

尺寸:3.0×3.0×5.75 mm。

 

協(xié)作機制:XY傳感器覆蓋平面方向,Z傳感器補充垂直維度,MagI2C 實時融合三軸數(shù)據(jù),輸出數(shù)字信號,無需額外ADC轉(zhuǎn)換。

 

?二、技術參數(shù)

?

?量程范圍?:±800uT,適用于強磁場環(huán)境下的精準測量。

 

?噪聲水平?:低至15nT(Cycle Count=200時),確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。

 

?分辨率?:13nT,可檢測微小磁場變化。

 

?封裝與兼容性?:所有組件采用表貼封裝,便于集成到PCB板中。

 

?供電與功耗?:3V直流供電,低功耗設計適合移動設備。

 

關鍵參數(shù)對比表

 

參數(shù)

Cycle Count=50

Cycle Count=100

Cycle Count=200

靈敏度

50 nT

26 nT

13 nT

噪聲

30 nT

20 nT

15 nT

最大采樣率

1600 Hz(單軸)

850 Hz(單軸)

440 Hz(單軸)

電流消耗

70 μA8Hz三軸)

135 μA8Hz三軸)

260 μA8Hz三軸)

 

?三、應用場景

 

憑借抗干擾與高穩(wěn)定性,RM3100廣泛應用于復雜環(huán)境中的方位檢測

?

?導航系統(tǒng)?:用于機器人、無人機等設備的航向校準與姿態(tài)控制。

 

?車輛檢測?:通過磁場變化識別停車位占用狀態(tài),應用于智能交通系統(tǒng)。

 

?工業(yè)監(jiān)測?:金屬異物檢測、安檢設備及工業(yè)自動化中的磁場異常監(jiān)控。

 

?科研領域?:集成于捷聯(lián)慣性導航系統(tǒng)(SINS),結合IMU實現(xiàn)高精度運動追蹤。

 

?四、接口與連接

?

?通信協(xié)議?:通過SPI或I2C與主控芯片(如STM32)連接,示例中以PA5(SCLK)、PA7(MOSI)等引腳實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。

 

?開發(fā)支持?:提供STM32示例程序及校準工具,簡化集成流程。

 

PNI RM3100 四件套以模塊化設計(三傳感器+控制器)實現(xiàn)軍工級磁場測量,其13nT分辨率、無磁滯特性及70μA超低功耗,在消費電子、智能交通等領域成為替代霍爾傳感器的首選,適合高精度導航與物聯(lián)網(wǎng)設備開發(fā)。

 

  • MDD辰達半導體推出低內(nèi)阻、強抗浪涌MOSFET,電池管理系統(tǒng)BMS中的關鍵元器件
  • 在儲能BMS中,充放電控制和主動均衡是兩大關鍵電路,都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達半導體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET, 采用先進的 SGT工藝,輕松應對BMS中的會遇到的挑戰(zhàn)。
    2025-12-10 15次
  • 芯伯樂24C02/24C04/24Cxx:百萬次擦寫非易失性存儲器的解決方案
  • 在嵌入式系統(tǒng)與智能設備中,小容量、可重復擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標準化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗,成為存儲配置參數(shù)、用戶設置、運行日志等的首選方案。無論是消費電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設備,都能見到它的身影。
    2025-12-10 6次
  • 芯伯樂低噪聲軌到軌運放芯片XAD8605/8606/8608系列,11MHz帶寬高精度信號調(diào)理
  • 在工業(yè)控制、汽車電子和便攜式設備等領域,對運算放大器的性能要求越來越高,尤其是在帶寬、噪聲、功耗和輸入輸出范圍等方面的平衡。芯伯樂的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列運算放大器,以其11MHz帶寬、低噪聲、軌到軌輸入輸出和微安級功耗,為高精度信號處理提供了可靠的解決方案。
    2025-12-10 3次
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
    2025-12-09 21次
  • 全球第三國內(nèi)首款頂部散熱TOLT封裝功率MOSFET-VBGQTA1101
  • 近日,國內(nèi)功率半導體領域迎來突破性進展——微碧半導體(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國首款采用頂部散熱技術的功率MOSFET,更以"熱傳導與電流路徑解耦"的核心設計,實現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級,標志著我國在高功率半導體封裝技術領域成功躋身國際先進行列!
    2025-12-09 11次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復
    返回頂部