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Infineon(英飛凌)IR2110STRPBF高電壓、高速功率MOSFET
2022-08-27 1175次


 

IR2110STRPBF

 

一、IR2110STRPBF介紹

  廠(chǎng)商型號(hào):IR2110STRPBF

  品牌名稱(chēng):Infineon(英飛凌)

  元件類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)

  封裝規(guī)格:SOIC-16

  型號(hào)介紹:高電壓、高速功率MOSFET

 

 

二、IR2110STRPBF概述

  IR2110STRPBF是高電壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具有獨(dú)立的高、低側(cè)參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使堅(jiān)固的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低至3.3V邏輯。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖階段,設(shè)計(jì)為最小的驅(qū)動(dòng)器的交叉?zhèn)鲗?dǎo)。傳播延遲匹配,以簡(jiǎn)化在高頻應(yīng)用中的使用。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)500或600伏特的高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT。

  特點(diǎn):

  浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)用于自舉操作

  完全工作到+500V或+600V

  耐受負(fù)瞬態(tài)電壓

  dV / dt免疫

  ?柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍從10到20V

  兩個(gè)通道的低壓鎖定

  ?3.3V邏輯兼容

  獨(dú)立的邏輯電源范圍從3.3V到20V

  邏輯電源接地±5V偏移

  ?CMOS施密特觸發(fā)下拉輸入

  ?一個(gè)周期一個(gè)周期的邊緣觸發(fā)停機(jī)邏輯

  ?兩個(gè)通道的傳播延遲匹配

  ?輸出與輸入同步


 

 

 

三、IR2110STRPBF中文參數(shù)/資料

  驅(qū)動(dòng)配置:半橋

  通道類(lèi)型:獨(dú)立式

  驅(qū)動(dòng)器數(shù):2

  柵極類(lèi)型:IGBT,N 溝道 MOSFET

  電壓 - 供電:3.3V ~ 20V

  邏輯電壓 - VIL,VIH:6V,9.5V

  電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A

  輸入類(lèi)型:非反相

  高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):500 V

  上升/下降時(shí)間(典型值):25ns,17ns

  工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

  安裝類(lèi)型:表面貼裝型

  封裝:16-SOIC

 

 

 

 

四、IR2110STRPBF引腳圖、原理圖、封裝圖

 

 

IR2110STRPBF引腳圖

 

 

 

 

IR2110STRPBF電路圖(原理圖)

 

 

 

 

IR2110STRPBF封裝圖

 

 

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