續(xù)航能力有限造成的“里程焦慮”這是許多客戶選擇電動汽車的一個障礙。提高電池密度和能量轉(zhuǎn)換過程的效率是提高車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效的一個特別重要的關(guān)鍵領(lǐng)域是主驅(qū)動逆變器,它將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的交流驅(qū)動,以供電。
在這篇技術(shù)文章中,我們討論VE-Trac?IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何使電池密度更高,提供更有效的轉(zhuǎn)換過程,從而提高電動汽車的耐久性,從而幫助克服客戶的擔(dān)憂。
主驅(qū)動逆變器是連接電池和主驅(qū)動電機的電動汽車的核心。它們將直流電池電壓轉(zhuǎn)換為電機所需的交流驅(qū)動,功率水平一般為80KW150多千瓦。電池電壓基于電池組大小,一般為4000千瓦。V但在直流電壓范圍內(nèi),但在800V直流電壓越來越普遍,以顯著降低電流,從而減少消耗。
盡管鋰離子(Li-Ion)電池成本在過去三年中降低了40%,或者在過去十年中降低了90%,但它仍然是電池汽車的最高成本。降價軌跡預(yù)計將持續(xù)到2025年,價格將保持穩(wěn)定。鑒于這一成本,首要任務(wù)是盡可能有效地利用每個焦耳的儲存能量,以降低電池組的成本和尺寸。
這種動力驅(qū)動提供了極高的扭矩和加速度。逆變器和電機組合的反應(yīng)能力直接關(guān)系到汽車“感知”因此,也與消費者的駕駛體驗和滿意度有關(guān)。
開關(guān)器件的功效
主驅(qū)逆變器一般包含三個半橋元件,每個半橋元件由一對組成MOSFET或IGBT組成,稱為上橋和下橋開關(guān)。每個電機相位有一個半橋,共有三個,每個開關(guān)裝置由柵極驅(qū)動器控制。
圖1:主驅(qū)逆變器概覽
開關(guān)的主要功能是打開和關(guān)閉高壓電池的DC電壓和電流,為促進汽車電機提供交流驅(qū)動。這是一個高要求的應(yīng)用程序,因為它工作在高電壓、高電流和高工作溫度條件下,而800V可提供2000多個電池KW的功率。
基于400 V電池系統(tǒng)的主驅(qū)逆變器要求功率半導(dǎo)體裝置VDS額定值在650 V至750 V之間,而800 V方案將VDS額定值要求提高到12000V。在典型的應(yīng)用中,這些功率器件還必須處理30秒(s)的超過600A峰值交流電流,持續(xù)約1ms(ms)最大交流電流1600A。
此外,開關(guān)晶體管和用于該裝置的柵極驅(qū)動器必須能夠處理這些大負(fù)荷,并保持主驅(qū)逆變器的高能效。
IGBT一直是主驅(qū)逆變器應(yīng)用的首選器件,因為它們可以處理高電壓,快速開關(guān),帶來高能效的工作,并滿足汽車行業(yè)具挑戰(zhàn)性的成本目標(biāo)。
開關(guān)和功率密度
現(xiàn)代汽車極為擁擠——至少含技術(shù)的空間是如此。這說明功率密度是個重要參數(shù),動力總成的功率密度尤為重要。物理尺寸(和重量)必須最小化,因為任何重量都會導(dǎo)致車輛續(xù)航能力降低。
除了元器件的物理尺寸外,設(shè)計的能效也是主要的驅(qū)動因素。能效越高,產(chǎn)生的熱量就越少,逆變器的結(jié)構(gòu)就越緊湊。
開關(guān)(無論是IGBT還是MOSFET)對產(chǎn)生熱量的損耗有最重要的影響。較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))值可減少靜態(tài)損耗,而柵極電荷(Qg)的改進可減少動態(tài)或開關(guān)損耗,使系統(tǒng)的開關(guān)速度加快。如果開關(guān)速度更快,那么就可以大大減小磁鐵等無源元件的尺寸,從而提高功率密度。
開關(guān)的最高工作溫度也會影響功率密度,因為如果器件能在更高的溫度下工作,需要的冷卻就更少,從而進一步減少設(shè)計的尺寸和重量。
模塊化方案增加功率密度
在許多主驅(qū)逆變器的設(shè)計中,關(guān)鍵器件通常是單獨的分立封裝,雖然這是個非常有效的方法,但它不一定能提供最緊湊或最高功率密度的設(shè)計。
另一種方法是使用預(yù)配置的模塊來構(gòu)成主驅(qū)逆變器所需的半橋。安森美(onsemi)的VE-Trac功率集成模塊(PIM)就是這樣一種方案,它專用于汽車功能電子化應(yīng)用,包括逆變器。
VE-Trac Dual電源模塊在一個半橋架構(gòu)中集成了一對1200 V超場截止(UFS)IGBT。這些器件采用了穩(wěn)定可靠且經(jīng)過驗證的溝槽(Trench) UFS IGBT技術(shù),提供高電流密度、穩(wěn)定可靠的短路保護以及800 V電池應(yīng)用所需的更高阻斷電壓。該智能IGBT集成了電流和溫度傳感器,使其具有獨特的優(yōu)勢,并對過電流(OCP)和過溫度等保護功能提供更快的反應(yīng)時間,從而提供一個更穩(wěn)定可靠的方案。
這些芯片被封裝好,安裝在具有4.2 kV(基本)絕緣能力的Al2O3覆銅基板(DBC substrate),兩側(cè)都有銅和冷卻性能。沒有線邦定的模塊比含有線邦定的類似外殼模塊預(yù)期壽命增加一倍。將該IGBT和一個二極管共同封裝,可以減少功率損耗和實現(xiàn)軟開關(guān),從而提高整體能效。
VE-Trac Dual模塊將裸芯片封裝在一個小巧的尺寸中,更易于集成到緊湊的設(shè)計中。高效的工作、低損耗和雙面水冷確保輕松實現(xiàn)熱管理,同時持續(xù)工作在175°C允許向牽引電機提供更高的峰值功率。
主驅(qū)逆變器的每一相通常需要一個VE-Trac Dual模塊,其機械設(shè)計本身可用于多相應(yīng)用,提供簡單的可擴展性,包括將模塊并聯(lián)以在每個單相提供更多的功率。
雖然基于IGBT的VE-Trac模塊足以滿足大多數(shù)汽車應(yīng)用的要求,但基于SiC MOSFET的增強版也可用于最高要求的應(yīng)用。這款產(chǎn)品采用了最新的寬禁帶(WBG)技術(shù),進一步減小主驅(qū)逆變器設(shè)計的尺寸并提高能效。
總結(jié)
讓電動車在兩次充電之間行駛得更遠(yuǎn)是我們當(dāng)前的一大技術(shù)挑戰(zhàn)。由于政府要求,且人們期望改善環(huán)境,這些車輛將在未來幾年內(nèi)被迅速采用。
如果減輕消費者的“續(xù)航里程焦慮”,電動車會更有吸引力,那么采用的速度會更快。實現(xiàn)這的最佳途徑是提高能效,這不僅延長續(xù)航里程,還增加功率密度和提升可靠性。
半導(dǎo)體開關(guān)是實現(xiàn)高能效的關(guān)鍵,雖然分立器件具有出色的性能,但最好的方案是專為汽車應(yīng)用而設(shè)計的PIM,如安森美的VE-Trac模塊。這些基于IGBT的設(shè)計提供所需的高能效、高性能和可擴展性,外形小巧,簡化了熱設(shè)計。