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高性能CMOS圖像傳感器的電源布局
2022-09-15 1091次

 

  高性能CMOS圖像傳感器的電源布局會對分辨率、幀率等性能產(chǎn)生重大影響。在設(shè)計電源方案時,本文討論了這一應(yīng)用的重要考慮因素。

 

  內(nèi)部結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器

  典型的CMOS成像系統(tǒng)包括源像素顏色陣列、模擬信號處理電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和用于控制接口、時間順序和數(shù)據(jù)讀取的數(shù)字部分。陣列的填充因子是感光部分相對于傳感器總大小的百分比。光電探測器是一種光敏傳感器,用于捕獲可見光子并將其轉(zhuǎn)換為電流(微安全級)。

  分辨率用于量化CMOS圖像傳感器中的總像素陣列數(shù)。例如,200萬像素傳感器陣列是1600和1200行。然而,并不是陣列中的所有像素都是有源的(用于光學(xué)檢測),一些像素(用于光學(xué)中的黑色)用于黑色電平和噪聲校正。

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1:典型的CMOS圖像傳感器模塊。

有許多不同的像素晶體管設(shè)計,包括三個晶體管(3T)、四個晶體管(4T)和五個晶體管(5T)版本。在4T布局中,光電二極管將接收到的可見光子轉(zhuǎn)化為電荷。每個電壓讀取一行,放入柱狀電容器(C)。然后使用解碼器和多路復(fù)用器進行讀取。

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2:四晶管像素設(shè)計。

幀速率用于量化圖像處理陣列,以捕完整圖像的速度,通常為30-120fps。幀速率受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,快門速度受快門速度的影響,后者控制圖像傳感器收集光線的時間??删幊虝r間間間隔,也稱為暗期,在讀取最后一行后執(zhí)行其他任務(wù)時,這個間隔也會影響幀速率,約為讀取速率的75%。幀按順序讀取;最后,緩沖器將整個幀存儲為完整的圖像。

 

 考慮電源設(shè)計

  CMOS圖像傳感器一般采用模擬供電軌(2.8VAVDD)、接口供電軌(1.8或2.8VDOVD)和數(shù)字供電軌(1.2或1.8VDVDDD)三種不同的供電軌。低壓降(LDO)穩(wěn)壓器的輸入引腳上有一個大的旁路電容,可以穩(wěn)定電源,幫助降低電壓波動,從而提高圖像傳感器的噪聲性能。

電源抑制比(PSRR)測量LDO抑制電源紋波引起的輸入電壓變化的能力,或阻斷其他開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器引起的噪聲。低PSRR的LDO可能會在捕獲的圖像中產(chǎn)生不必要的水平紋波。給定幀速率所需的傳感器行頻可以在設(shè)計具有足夠高PSRR的LDO之前計算。

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3:LDO正在進行穩(wěn)壓。

LDO內(nèi)部的反饋回路基本上決定了系統(tǒng)的PSRR,工作頻率低于100kHz。對于更高頻率(高于100kHz)的應(yīng)用,仍然取決于無源組件和PCB布局。因此,精心設(shè)計的PCB可以實現(xiàn)緊湊的電流回路,降低寄生電感。在高頻下,普通LDO的PSRR相對較低。雖然這對于標(biāo)準(zhǔn)攝像頭來說不是問題,但是高分辨率(50200MP)和高幀率的圖像傳感器要求LDO在較低頻率(最高10kHz)下的PSRR高于90dB,在較高頻率(10kHz)下的PSRR高于45db。

 

 設(shè)計技巧

  幀速率(300120fps)和行速率(2244kHz)會產(chǎn)生動態(tài)負載,導(dǎo)致模擬電源軌道上的下沖和過沖。在每個幀或行轉(zhuǎn)換過程中,獲得的電流類似于階躍負載,這意味著LDO必須能夠在每次讀取幀和行(或行)之間處理數(shù)百毫安的負載變化。大容量電容(在行頻和幀頻率下具有低阻抗)可以幫助相機解耦,從而減少這種負載切換引起的紋波。

  圖像傳感器的每個像素都有一個電荷飽和度(或最大陷阱容量),這是像素可以保留的電荷量(以電子為單位),直到達到飽和。圖像傳感器的動態(tài)范圍(以db表示)是可以同時捕獲的圖像最亮和最暗部分的比率。

  低頻譜噪聲密度(介于10Hz至1mhz之間)的LDO輸出端也有助于降低傳輸?shù)紺MOS圖像傳感器的噪聲量,使像素達到更大的動態(tài)范圍。最后,在數(shù)據(jù)手冊中,總紋波和噪聲應(yīng)至少低于傳感器的噪聲閾值40dB,通常表示為信噪比(SNR)。

 

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