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  高性能

  美光232層NAND具有璀璨業(yè)界的NAND輸入/輸出(I/O)速度(每秒2.4GB)，可滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能、非結構化數(shù)據(jù)庫、實時分析與云計算等數(shù)據(jù)密集型工作負載。

  數(shù)據(jù)密度

  美光232層高密度NAND便于客戶進行靈活設計，實現(xiàn)了每平方毫米高達14.6Gb的TLC密度。面密度比當今市場上的TLC競品高35%到100%。

  無處不在的應用

  更大的存儲容量—增加堆疊層數(shù)以提高存儲容量至每裸片1Tb，每封裝2TB—從智能邊緣到云計算，美光232層 NAND為更多設備提供更大存儲，以幫助實現(xiàn)更智能，功能更強大的設備。

  為新一波端到端技術創(chuàng)新浪潮奠定基礎

  從大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到小型設備，NAND能夠滿足不斷發(fā)展的對高性能、即時響應存儲的需求。美光下一代232層NAND拓展了其NAND技術優(yōu)勢，能夠提供更快、更高容量的存儲解決方案。

  擴展技術邊界：

  NAND堆疊層數(shù)提升至232層

  2020年，美光發(fā)布了?176層3DNAND，確立成為NAND技術領域前沿廠商。如今憑借下一代232層NAND技術實現(xiàn)應用與進入市場，我們進一步鞏固了自身的技術優(yōu)勢。