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  英飛凌在本次USB PD亞洲展上推出了基于一款PAG1P/S的65W氮化鎵參考設(shè)計(jì)，初級(jí)氮化鎵開(kāi)關(guān)管采用IGLD60R190D1，PCB尺寸為52*42*22mm，輸入濾波電容采用永銘KCX系列電解電容，三顆33μF一顆22μF，合計(jì)121μF容量。變壓器采用RM10磁芯，這款65W參考設(shè)計(jì)功率密度達(dá)1.35W/cm3。

  英飛凌65W氮化鎵參考設(shè)計(jì)一覽，變壓器次級(jí)輸出線(xiàn)直接焊接到次級(jí)小板上，輸出低壓固態(tài)電容垂直焊接，充分利用空間，高壓側(cè)有兩級(jí)共模電感。

  輸出側(cè)使用兩顆永銘NPX固態(tài)電容濾波，470μF25V耐壓。電容下方是一顆隔離變壓器，PAG1P與PAG1S采用變壓器進(jìn)行隔離通信，避免光耦長(zhǎng)時(shí)間出現(xiàn)老化，提高適配器壽命。輸入側(cè)X電容墊高焊接在保險(xiǎn)絲和共模電感上方，充分利用內(nèi)部空間。

  左側(cè)四顆永銘電解用于輸入濾波，變壓器采用絕緣膠帶纏繞絕緣。輸出小板垂直焊接，側(cè)面是同步整流管，采用英飛凌BSC0805LS，耐壓100V，導(dǎo)阻7mΩ。

  英飛凌 BSC0805LS 詳細(xì)資料

  此方案采用了英飛凌PAG1系列零電壓控制套片，兼顧了成本與性能特性：

  英飛凌PAG1P與PAG1S套片示意圖。PAG1P采用反激方案，PAG1S集成同步整流和協(xié)議功能，內(nèi)部集成VBUS和同步整流驅(qū)動(dòng)。

  適配器輸入端采用兩顆整流橋并聯(lián)，均攤發(fā)熱。電路板背面均為初級(jí)元件，有初級(jí)控制IC和氮化鎵開(kāi)關(guān)管。

  英飛凌PAG1P初級(jí)IC特寫(xiě)，型號(hào)為CYPAP111A。采用SO10封裝。

  英飛凌氮化鎵開(kāi)關(guān)管，IGLD60R190D1，600V耐壓，導(dǎo)阻190mΩ，采用PG-LSON-8-1封裝。焊盤(pán)加錫幫助導(dǎo)熱。

  英飛凌IGLD60R190D1支持超快開(kāi)關(guān)，無(wú)反向恢復(fù)電荷，可提升系統(tǒng)能效，提升功率密度，支持高頻運(yùn)行，降低系統(tǒng)成本，減小EMI。支持-55-150℃溫度范圍。英飛凌IGLD60R190D1適用于開(kāi)關(guān)電源，高密度充電器，支持軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)，如圖騰柱PFC，高頻LLC和反激。