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  在存儲行業(yè)，非易失性閃存(以下簡稱閃存)自誕生之日起，便掀起了一場影響深遠的行業(yè)變革。作為數字經濟的基礎設施，閃存技術的創(chuàng)新迭代，使得數字時代終于從藍圖化作了現實。

  在不久前的FMS上，全球各大原廠再次同聚一堂，就閃存技術的發(fā)展創(chuàng)新，展開了熱烈的討論，其中傳言已久的PLC閃存芯片，也有了新進展。我們不由得感嘆，閃存技術的發(fā)展簡直日新月異，一日千里。

  閃存芯片的定義和原理

  閃存芯片，從定義而講，它是一種非易失性存儲器，樸素理解即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個的字節(jié)為單位;從原理上而言，NAND閃存是由成千上萬個Cell組成的Array(陣列)，單位Cell內部電位的多少，存儲量的高低，推動了不同類型閃存芯片的問世。閃存行業(yè)重要的技術發(fā)展方向之一由此誕生，即如何在單位Cell中注入更多的電位，存儲更多的數據，實現性能和成本的統(tǒng)一。

  不同閃存芯片電位數

  閃存芯片類型釋義

  SLC閃存芯片

  即在Cell內部僅存有“0”和“1”總計2個電位，每單元可存儲1bit數據，由于內部電位設計較少，能夠快速執(zhí)行通放電指令，性能表現優(yōu)異;同時，沒有多余的電位設計，還使得其在穩(wěn)定性和壽命有著天然優(yōu)勢，可承受100000次擦寫;然而，SLC單層存儲單元設計，某種意義上是“以空間冗余換性能”，空間利用低。至于應用上，在某些特定的、成本敏感度不高，更追求性能和壽命的存儲場景中，SLC閃存芯片優(yōu)異的性能和壽命優(yōu)勢，依然存在不可替代性。

  SLC閃存芯片特性

  MLC閃存芯片

  則是在Cell中擁有“00”、“01”、“10”、“11”等4個電位，形成雙層存儲單元，每個單元能夠存儲2bit數據;在性能上，4個電位的存在，使得性能對比SLC略遜一籌。但在存儲空間上，是SLC兩倍，兼具了性能、壽命和容量優(yōu)勢，在閃存發(fā)展早期，MLC一直是業(yè)內最具競爭力的產品，被廣泛的應用于早期的數據中心、服務器等領域。

  MLC閃存芯片特性

  TLC閃存芯片

  擁有三層存儲單元，每個單元可以存儲3bit數據，每個Cell內部的電位數也擴容到了8個電位，存儲空間實現了大幅提升，兼具性能、成本、壽命等多種優(yōu)勢。

  可以說隨著TLC閃存芯片的問世，以閃存為介質的固態(tài)硬盤產品，才真正意義上實現了普及，走進千家萬戶。目前主流的企業(yè)級應用場景，包括服務器、云計算以及中大型數據中心，基本都配置了綜合性能更

佳的TLC閃存產品。

  TLC閃存芯片特性

  QLC閃存芯片

  是在業(yè)界為了最大限度的拓展存儲空間，最大化降低存儲成本，加速固態(tài)硬盤普及的再次革新。該芯片擁有四層存儲單元，每個Cell內部設計了高達16個電位，進而獲得了難以想象的存儲空間，業(yè)界單顆QLC閃存芯片已然擁有1TB的存儲容量。

  目前大部分QLC產品，憑借著成本低和較高性能表現，成為流媒體等讀取密集型應用的最佳選擇，在該種場景下，能夠充分發(fā)揮QLC閃存芯片在絕對讀取上的優(yōu)勢，規(guī)避了頻繁寫入帶來的性能下降和壽命問題。而在其他應用場景中，壽命、性能和成本全面均衡的TLC閃存芯片，依舊是絕對主流。

  QLC閃存芯片特性

  PLC閃存芯片

  至于開篇提及的PLC閃存芯片，顧名思義，則是在QLC基礎上進一步挖掘閃存芯片的性能潛質，擁有五層存儲單元的PLC閃存芯片，單位存儲量實現暴漲的同時，每個Cell內部多達32個電位設計，極大的考驗著閃存加工工藝和制程水準，存儲空間則會相應的實現暴漲。