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  DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應用中節(jié)省電力并簡化散熱管理

  Nexperia安世推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。

  新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

  RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。

  具體而言，在VGS =4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。

  除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場領(lǐng)先的效率。