h1_key

當(dāng)前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 品牌資訊>安世>安世半導(dǎo)體排名全球第5、中國(guó)第1
安世半導(dǎo)體排名全球第5、中國(guó)第1
2023-03-22 2224次

芯謀研究發(fā)布《中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)年度報(bào)告2023》。報(bào)告顯示,聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體在2022年全球前20大功率分立器件公司排名中位列第5,相比2021年上升1名,在中國(guó)排名蟬聯(lián)第1。

 

 

《中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)年度報(bào)告2023》發(fā)布現(xiàn)場(chǎng)

 

縱觀全球功率分立器件發(fā)展趨勢(shì),芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)分析認(rèn)為,2022年全球功率分立器件市場(chǎng)大漲19.2%,驅(qū)動(dòng)因素主要來(lái)自于在全球新能源汽車(chē)高速增長(zhǎng)推動(dòng)下汽車(chē)電子的高速增長(zhǎng),抵消PC、手機(jī)等市場(chǎng)下滑因素后,全球功率分立器件仍實(shí)現(xiàn)19.2%增速。展望未來(lái)兩年,全球功率分立器件仍將小幅成長(zhǎng)。

 

該報(bào)告發(fā)布了2022年全球前20大功率分立器件公司營(yíng)收排名,針對(duì)排名變化情況,李國(guó)強(qiáng)指出,英飛凌和安森美依然為全球前兩大廠商,值得注意的是,國(guó)內(nèi)公司有5家公司已經(jīng)進(jìn)入全球前20大排名,排名全球第5的中國(guó)第一大公司是安世半導(dǎo)體。安世半導(dǎo)體在汽車(chē)領(lǐng)域的營(yíng)收占比較大,在2022年汽車(chē)電子量?jī)r(jià)齊漲之下,安世半導(dǎo)體整體營(yíng)收呈現(xiàn)快速提升。

 

 

全球功率分立器件公司排名 來(lái)源:芯謀研究

 

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 682次
  • Nexperia安世半導(dǎo)體2035年碳中和目標(biāo)
  • Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營(yíng)排放(范圍1)和為運(yùn)營(yíng)采購(gòu)能源而產(chǎn)生的間接排放(范圍2)方面實(shí)現(xiàn)碳中和。這一變革性承諾需要借助可靠的來(lái)源向100%可再生能源過(guò)渡,為全球所有的公司運(yùn)營(yíng)和工廠提供電力。Nexperia全面的可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃不僅致力于減少范圍1和范圍2的排放,而且最終將力求未來(lái)消除范圍3的排放,范圍3的排放代表公司全球價(jià)值鏈產(chǎn)生的間接排放。
    2023-09-22 910次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 760次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來(lái)更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車(chē)充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 656次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 644次

    萬(wàn)聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào),優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部