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Nexperia安世半導(dǎo)體2035年碳中和目標(biāo)
2023-09-22 861次

  Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。公司年產(chǎn)量超過(guò)1,000億件,Nexperia深知自身對(duì)保護(hù)環(huán)境應(yīng)承擔(dān)的社會(huì)責(zé)任。今年五月,Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告,其中針對(duì)公司的環(huán)境影響、社會(huì)責(zé)任、增長(zhǎng)目標(biāo)以及其作為國(guó)際行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的重要角色進(jìn)行了評(píng)估。今天,Nexperia自豪地宣布其實(shí)現(xiàn)碳中和的預(yù)期目標(biāo),同時(shí)秉持公開(kāi)透明的原則,并采取問(wèn)責(zé)制度。

  Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營(yíng)排放(范圍1)和為運(yùn)營(yíng)采購(gòu)能源而產(chǎn)生的間接排放(范圍2)方面實(shí)現(xiàn)碳中和。這一變革性承諾需要借助可靠的來(lái)源向100%可再生能源過(guò)渡,為全球所有的公司運(yùn)營(yíng)和工廠提供電力。Nexperia全面的可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃不僅致力于減少范圍1和范圍2的排放,而且最終將力求未來(lái)消除范圍3的排放,范圍3的排放代表公司全球價(jià)值鏈產(chǎn)生的間接排放。

  Nexperia對(duì)創(chuàng)新做出了堅(jiān)定的承諾,并以此為發(fā)展動(dòng)力,專注于開(kāi)發(fā)能夠確保日常產(chǎn)品能效的半導(dǎo)體,為世界各地人民創(chuàng)造一個(gè)更加美好的未來(lái)。作為公司前瞻性方法的一部分, Nexperia還全面考慮了企業(yè)的環(huán)境、社會(huì)責(zé)任和公司治理(ESG)影響。憑借可持續(xù)發(fā)展路線圖和碳中和目標(biāo),Nexperia充分履行其責(zé)任,努力實(shí)現(xiàn)全面綠色轉(zhuǎn)型。Nexperia不僅在保護(hù)地球方面承擔(dān)起自身責(zé)任,還致力于推動(dòng)他人奉獻(xiàn)自己的力量,一起維護(hù)人類共同的未來(lái)。

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 640次
  • Nexperia安世半導(dǎo)體2035年碳中和目標(biāo)
  • Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營(yíng)排放(范圍1)和為運(yùn)營(yíng)采購(gòu)能源而產(chǎn)生的間接排放(范圍2)方面實(shí)現(xiàn)碳中和。這一變革性承諾需要借助可靠的來(lái)源向100%可再生能源過(guò)渡,為全球所有的公司運(yùn)營(yíng)和工廠提供電力。Nexperia全面的可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃不僅致力于減少范圍1和范圍2的排放,而且最終將力求未來(lái)消除范圍3的排放,范圍3的排放代表公司全球價(jià)值鏈產(chǎn)生的間接排放。
    2023-09-22 862次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 725次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來(lái)更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 613次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 619次

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