h1_key

  由于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和電路幾乎相同，因此它們對所用 ESD 保護(hù)器件的要求非常相似。ESD 器件必須遵循 ESD 保護(hù)器件的OA規(guī)范(汽車以太網(wǎng)規(guī)范(opensig.org))。以下是一些主要要求：

  ? 雙向

  ? 在 1000個 15 kV ESD 脈沖后性能沒有下降(IEC61000-2-4)

  ? 觸發(fā)電壓 > 100 V

? VDC > 24 V(電池短路)

  此外，我們通過一組測量對 ESD 保護(hù)器件的合規(guī)性進(jìn)行了測試：

在上述測量中，我們對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 使用相同的設(shè)置，但是“通過”和“未通過”條件定義存在略有不同的限制，尤其是帶寬差異等原因引起的散射參數(shù)。具體限制參見相應(yīng)規(guī)范的附錄。

  散射參數(shù)

  散射參數(shù)測量的理念是在頻域中觀察 ESD 保護(hù)器件的 SI 行為，即插入損耗(IL)、回波損耗(RL)和共模抑制比(CMRR)。作為混合模式散射參數(shù)矩陣中的矩陣元素，這些參數(shù)分別稱為Sdd21、Sdd11和Sdc21。索引“dd”指的是差分，“dc”指的是差模共模。

  ? IL 是指 ESD 保護(hù)器件隨頻率傳輸?shù)男盘柌糠帧鬏數(shù)男盘栐蕉嘣胶?。簡而言之，IL表示通過 ESD 器件傳輸?shù)男盘柫??？梢詫⑵淇醋魇且粋€以阻抗為重點(diǎn)的傳遞函數(shù)?！巴ㄟ^”條件是保持在規(guī)范中定義的限制之上。

  ? RL 表示 ESD 保護(hù)器件隨頻率變化而反射的信號部分。反射的信號越少越好。標(biāo)準(zhǔn)化委員會也對此定義了限制?！巴ㄟ^”條件是保持在限制以下。

  ? CMRR 表示隨頻率變化從差模轉(zhuǎn)換為共模的信號部分。這種模式轉(zhuǎn)換是由網(wǎng)絡(luò)中的不對稱引起的，在差分信號中應(yīng)盡量減少。

  下圖顯示了一些散射參數(shù)示例。100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的數(shù)據(jù)速率和帶寬決定了二者的所有散射參數(shù)限制都不相同。