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  隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲(chǔ)等服務(wù)提供支持，處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大，電力需求也隨之增長(zhǎng)。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下，如何為服務(wù)器提供更多電力?

  臺(tái)達(dá)電子選擇了德州儀器作為合作伙伴，通過(guò)應(yīng)用 TI 的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)并與 TI 電源領(lǐng)域?qū)＜液献?，?shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)中心在功率密度上的突破。相比使用傳統(tǒng)架構(gòu)的服務(wù)器電源供應(yīng)器 (PSU)，臺(tái)達(dá)研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器可提供單級(jí)高達(dá) 99.2% 的效率，功率密度提升 80%，效率提升 1%。能源政策機(jī)構(gòu) Energy Innovation 數(shù)據(jù)顯示，效率每提升 1%，相當(dāng)于每個(gè)數(shù)據(jù)中心節(jié)省了 1 兆瓦(或 800 戶家庭用電)的總所有成本。

  氮化鎵：推動(dòng)電源管理變革

  氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，非常適合用于高性能電源開(kāi)關(guān)。任何設(shè)備在開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)都會(huì)消耗一定的電量，與 MOSFET、IGBT 等技術(shù)相比，氮化鎵的開(kāi)關(guān)功耗更低、開(kāi)關(guān)速度更快，可以幫助電源產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。

  此外，氮化鎵能夠比純硅解決方案更有效地進(jìn)行電量處理，將功率轉(zhuǎn)換器的功率損耗降低 80%，并更大限度地減少對(duì)冷卻器件的需求。通過(guò)將更多電量存儲(chǔ)在更小空間內(nèi)，氮化鎵可以幫助工程師設(shè)計(jì)更小更輕的系統(tǒng)。

  臺(tái)達(dá)電子定制設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)部研發(fā)經(jīng)理 Kai Dong 表示：“氮化鎵的應(yīng)用融合了臺(tái)達(dá)電子在高效電力電子裝置領(lǐng)域的核心專業(yè)知識(shí)，以更大限度地提高功率密度，同時(shí)不會(huì)降低效率性能。歸根結(jié)底，氮化鎵技術(shù)打開(kāi)了通往新產(chǎn)品世界的大門(mén)，而這在此之前是不可能的。”

  TI氮化鎵技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  TI 在高度整合的氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有長(zhǎng)達(dá)十年的投資。隨著市場(chǎng)需求的增加，以及小型化系統(tǒng)、海量化數(shù)據(jù)趨勢(shì)的不斷發(fā)展，我們的長(zhǎng)期投資和靈活的制造策略，將讓我們成為先進(jìn)的氮化鎵供應(yīng)商。

  在性能上，我們的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 (FET) 集成了快速開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器，以及內(nèi)部保護(hù)和溫度傳感功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能，且開(kāi)關(guān)速度比分立式氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管更快;我們的氮化鎵器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度，可以實(shí)現(xiàn)超過(guò) 500kHz 的開(kāi)關(guān)頻率，從而將磁性元件尺寸縮減高達(dá) 60%、提升性能并降低系統(tǒng)成本。

  此外，我們的氮化鎵器件采用專有的硅基氮化鎵工藝，經(jīng)過(guò)超過(guò) 4000 萬(wàn)小時(shí)的可靠性測(cè)試及超過(guò) 5GWh 的電源轉(zhuǎn)換測(cè)試，為工程師提供嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目煽啃詳?shù)據(jù)，協(xié)助他們用用氮化鎵打造更小、更輕且效率更高的電源系統(tǒng)。

  臺(tái)達(dá)電源及系統(tǒng)事業(yè)群總經(jīng)理 Ares Chen 表示：“氮化鎵已跨越過(guò)去，被視為未來(lái)技術(shù)的門(mén)檻，并且現(xiàn)在已成為電源供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中即時(shí)可行的選擇。通過(guò)與 TI 等先進(jìn)企業(yè)合作，我們得以持續(xù)提升產(chǎn)品的能源效率，并為我們熟悉的電源設(shè)計(jì)與架構(gòu)帶來(lái)革命性的變革?！?/span>