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意法半導(dǎo)體攜手三安光電推進中國碳化硅生態(tài)
2023-06-09 473次

  意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)(涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品)三安光電宣布,雙方已簽署協(xié)議,將在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC制造廠計劃于2025年第四季度開始生產(chǎn),預(yù)計將于2028年全面落成,屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用日益增長的需求。同時,三安光電將利用自有SiC襯底工藝,單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,以滿足該合資廠的襯底需求。

  

 

 

  該合資廠將采用ST的SiC專利制造工藝技術(shù),專門為ST生產(chǎn)SiC器件,作為ST的專用晶圓代工廠以滿足其中國客戶的需求。

  該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約達32億美元,其中未來5年的資本支出約為24億美元,資金來源包括來自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)向外貸款。

  三安光電首席執(zhí)行官林科闖表示:“該合資廠的成立將有力推動SiC器件在中國市場的廣泛采用。作為一家國際知名的高品質(zhì)SiC晶圓代工服務(wù)公司,三安還將新建一個SiC襯底工廠,專門為新成立的合資廠提供SiC襯底。這是三安光電朝著成為SiC專業(yè)晶圓代工廠這一目標邁出的重要一步。隨著新合資廠的成立和新SiC襯底工廠的產(chǎn)能擴張,我們有信心三安將繼續(xù)在SiC專業(yè)晶圓代工市場占據(jù)優(yōu)勢地位”。

  意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示:“中國的汽車和工業(yè)領(lǐng)域正在朝著電氣化全速前進,在這個市場上,ST已經(jīng)成功拿下了許多客戶項目。對ST來說,與中國本地的重要合作伙伴一起成立一個專門的晶圓廠,這將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。將三安光電未來的8英寸襯底制造廠、雙方新成立的前端合資制造廠、以及ST在中國深圳現(xiàn)有的后端制造廠相結(jié)合,ST將有能力為我們的中國客戶提供一個完全垂直整合的SiC價值鏈。此舉將成為繼ST在意大利和新加坡的持續(xù)重大投資外,進一步擴大其全球SiC制造業(yè)務(wù)的重要一步。新合資廠將助力ST實現(xiàn)到2030年取得50億美元以上SiC營收這一目標。這一舉措也與ST在2025-2027年實現(xiàn)200億美元以上的營收目標以及我們之前向資本市場傳達的相關(guān)財務(wù)模式相契合?!?/span>

 

  關(guān)于三安光電

  三安光電從事廣泛的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和制造,包括碳化硅、氮化鎵、全系列可見光LED、光通信、RF、濾波器以及紅外、紫外線產(chǎn)品等。公司目前擁有中國最大的化合物半導(dǎo)體代工能力。

 

  關(guān)于意法半導(dǎo)體

  意法半導(dǎo)體擁有5萬名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM),意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、數(shù)千名合作伙伴一起研發(fā)產(chǎn)品和解決方案,共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng),幫助他們更好地應(yīng)對各種挑戰(zhàn)和新機遇,滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能,電源和能源管理更高效,物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術(shù)應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實現(xiàn)碳中和。

  • 意法半導(dǎo)體宣布ST87M01 NB-IoT和GNSS模塊獲得沃達豐NB-IoT認證
  • 意法半導(dǎo)體宣布ST87M01 NB-IoT和GNSS模塊獲得沃達豐NB-IoT認證。ST87M01在一個小型化、低功耗、集成化模塊中整合移動物聯(lián)網(wǎng)接入和地理定位功能,適用于各種物聯(lián)網(wǎng)和智能工業(yè)用途。
    2023-08-31 458次
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  • 該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT?晶體管,采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝,額定電流分別為15A和25A,在25°C時的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外,3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導(dǎo)通/關(guān)斷能量損耗。開爾文源極引腳可以優(yōu)化柵極驅(qū)動。
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    2023-07-07 445次
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    2023-07-07 424次
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    2023-06-09 474次

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