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Micron美光宣布開始送樣增強版通用閃存UFS 4.0
2024-03-04 339次

  Micron美光科技股份有限公司,宣布開始送樣增強版通用閃存(UFS) 4.0 移動解決方案,該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 (9 x 13mm) ?;谙冗M的 232 層 3D NAND 技術(shù), 美光 UFS 4.0 解決方案可實現(xiàn)高達 1 TB 容量,其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗。

  

 

  美光 UFS 4.0 的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達 4300 MBps 和 4000 MBps,較前代產(chǎn)品相比性能1提升一倍,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了更出色的使用體驗。憑借高速性能,用戶能更快地啟動常用的生產(chǎn)力、創(chuàng)意和新興 AI 應(yīng)用。生成式 AI 應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高 40%2,為用戶與 AI 數(shù)字助手的對話提供更流暢的使用體驗。


美光最新推出的 UFS 4.0 解決方案采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝,在降低功耗的同時可提供一流的存儲性能。該解決方案憑借突破性的固件升級,使智能手機始終保持出廠時的流暢運行狀態(tài),同時通過更強的性能、靈活性和可擴展性,進一步提升了移動存儲性能標準,助力智能手機加速普及生成式 AI 功能。

 

  緊湊的封裝設(shè)計為超薄節(jié)能型智能手機奠定基礎(chǔ)

自去年 6 月推出 11mm x 13mm 封裝規(guī)格的 UFS 4.0 解決方案后,美光進一步縮小 UFS 4.0 的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的 9mm x 13mm 托管型 NAND 封裝。尺寸更小巧的 UFS 4.0 為下一代折疊及超薄智能手機設(shè)計帶來了更多可能性,制造商可利用節(jié)省出來的空間放置更大容量的電池。此外,新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%3,使用戶在運行 AI、AR、游戲和多媒體等耗電量高的應(yīng)用時獲得更長的續(xù)航時間。

 

  美光專有固件創(chuàng)新,進一步提升移動閃存標準

  此次增強版 UFS 4.0 基于美光去年量產(chǎn)的 UFS 4.0 產(chǎn)品,可提供多項專有固件更新功能,包括:

  ? 高性能模式 (HPM):該專有功能通過優(yōu)先處理關(guān)鍵任務(wù)而非后臺任務(wù),以提升智能手機在密集使用期間的性能。開啟 HPM 后,存儲訪問速度可提升一倍,助力手機在啟動多應(yīng)用時速度提升超過 25%4。

  ? 一鍵刷新 (OBR):OBR 功能通過自動清理和優(yōu)化數(shù)據(jù),幫助用戶獲得更持久的卓越性能,使智能手機始終保持宛如全新狀態(tài)的流暢運行體驗。更快的讀/寫性能可提升10% 的應(yīng)用啟動速度5,實現(xiàn)更快的相冊訪問速度和流暢的多任務(wù)處理,為用戶提供更好的體驗。

? 分區(qū) UFS (ZUFS):美光 UFS 4.0 現(xiàn)支持主機指定不同的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域,以提升設(shè)備的長期使用體驗。ZUFS 能夠有效應(yīng)對寫入放大現(xiàn)象,在不降低設(shè)備性能的前提下,盡可能利用有限的編程和擦除周期,從而延長智能手機使用壽命,并長期保持流暢的使用體驗。

 

  美光工程師團隊在其全球?qū)嶒炇抑型ㄟ^預(yù)測新興使用場景、模擬現(xiàn)實應(yīng)用環(huán)境以及與客戶密切協(xié)作收集反饋,成功打造出這些創(chuàng)新的固件功能。在位于美國、中國和韓國的客戶聯(lián)合實驗室中,美光與智能手機廠商密切合作,通過了解廠商面臨的痛點問題,開發(fā)具有針對性的解決方案來解決技術(shù)瓶頸。

 

  美光增強版 UFS 4.0 現(xiàn)已出樣,并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量選項。擴展的容量可支持旗艦智能手機容納設(shè)備端 AI 助手分析和生成的所有數(shù)據(jù),以及用戶不斷增加的圖片素材,釋放 AI 的優(yōu)勢并獲得比云存儲更高的安全性。通過本地數(shù)據(jù)存儲,用戶能夠在離線或網(wǎng)絡(luò)信號不穩(wěn)定的情況下隨時訪問個人數(shù)據(jù),從強大的 AI 功能中受益。

 

  • Micron美光宣布開始送樣增強版通用閃存UFS 4.0
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    2024-03-04 340次
  • 美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存7,200MT/s
  • Micron美光宣布1β(1-beta)制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb 容量版本的 DDR5 內(nèi)存。美光 1β DDR5 DRAM 在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達 7,200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。基于 1β 節(jié)點的美光 DDR5 內(nèi)存采用先進的 High-K CMOS 器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)1,相比上一代產(chǎn)品,性能提升高達 50%2,每瓦性能提升 33%3。
    2023-10-20 350次
  • 美光推出兩款固態(tài)硬盤 (SSD)美光 6500 ION NVMe SSD 及美光 XTR NVMe SSD
  • Micron Technology Inc. 美光科技今日宣布推出兩款固態(tài)硬盤 (SSD)——美光 6500 ION NVMe SSD 及美光 XTR NVMe SSD。這兩款產(chǎn)品通過降低運營成本并提高存儲效率,為數(shù)據(jù)中心帶來更多競爭優(yōu)勢,以應(yīng)對當今數(shù)據(jù)量急劇增長的趨勢。美光 6500 ION 是一款大容量的 SSD,能提供卓越的性能,并使數(shù)據(jù)中心更節(jié)能,比基于 QLC 的競品 SSD 具備更高價值。
    2023-05-20 497次
  • 美光推出采用232層NAND技術(shù)客戶端SSD
  • MICRON鎂光美光宣布,已向全球個人電腦原始設(shè)備制造商(OEM)客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光 2550 NVMe??固態(tài)硬盤(SSD)。2550 是全球首款采用 200+ 層 NAND 技術(shù)的客戶端 SSD
    2022-12-19 598次
  • 全球首款四層單元?(QLC)?SSD?—— Micron 5210 ION數(shù)據(jù)中心SATA SSD
  • Micron 5210 ION SSD能夠助力突破性地將數(shù)據(jù)分析結(jié)果轉(zhuǎn)化為行動,在不增加成本的前提下,讓讀取密集型工作負載擺脫性能緩慢的HDD。Micron 5210 SSD的速度使及時獲取洞見與智慧成為可能,為實時分析、大數(shù)據(jù)、流媒體、塊和對象存儲、人工智能和機器學(xué)習數(shù)據(jù)湖查詢等提供使能能力。
    2022-11-21 1693次

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