h1_key

TPS5430DDAR

一、TPS5430DDAR介紹

  廠商型號：TPS5430DDAR

  品牌名稱：TI(德州儀器)

  元件類別：DC-DC電源芯片

  封裝規(guī)格：SO PowerPAD-8

  型號介紹： 可調(diào)節(jié)電源，24 V 總線，耐熱增強型8 引腳 SOIC

  數(shù)據(jù)手冊：

  在線購買： 

二、TPS5430DDAR概述

  TPS5430DDAR是一種高輸出電流PWM轉(zhuǎn)換器，集成了低電阻、高側(cè)N溝道MOSFET?；迳习ㄒ粋€高性能電壓誤差放大器，在瞬態(tài)條件下提供嚴格的電壓調(diào)節(jié)精度；欠壓鎖定電路，防止啟動，直到輸入電壓達到5.5V；內(nèi)部設置的緩慢啟動電路，用于限制涌入電流；和電壓前饋電路，以改善瞬態(tài)響應。使用ENA引腳，停機電源電流通常降至18mA。其他功能包括有源高使能、過電流限制、過電壓保護和熱關機。為了降低設計復雜度和外部元件數(shù)量，TPS543x反饋回路進行內(nèi)部補償。TPS5431旨在通過高達23 V的電源軌運行。TPS5430調(diào)節(jié)包括24 V總線在內(nèi)的多種電源。

  TPS5430DDAR是一種3-a降壓(buck)穩(wěn)壓器，帶有集成的高端n溝道MOSFET。TPS5431的工作電壓最高為23 V，TPS5430的工作電壓最高為36 V。這些設備通過電壓前饋實現(xiàn)恒頻電壓模式控制，以改善線路調(diào)節(jié)和線路瞬態(tài)響應。內(nèi)部補償降低了設計復雜性和外部組件數(shù)量。

  集成110-mΩ高壓側(cè)MOSFET支持高效電源設計，能夠向負載提供3-A連續(xù)電流。集成高壓側(cè)MOSFET的柵極驅(qū)動偏置電壓由連接自舉到PH引腳的自舉電容器提供。TPS5430DDAR通過集成自舉充電二極管來減少外部組件計數(shù)。

  TPS5430DDAR的默認輸入啟動電壓通常為5.3 V。ENA引腳可用于禁用TPS5430DDAR，將電源電流降低至18μA。當ENA引腳浮動時，內(nèi)部上拉電流源啟用操作。TPS5430DDAR包括一個內(nèi)部慢啟動電路，該電路在啟動期間減慢輸出上升時間，以減少沖擊電流和輸出電壓過沖。最小輸出電壓為內(nèi)部1.221-V反饋基準。輸出過電壓瞬態(tài)通過過電壓保護(OVP)比較器最小化。當OVP比較器激活時，高壓側(cè)MOSFET關閉并保持關閉，直到輸出電壓低于預期輸出電壓的112.5%。

  內(nèi)部逐周期過電流保護限制集成高側(cè)MOSFET中的峰值電流。對于連續(xù)過電流故障條件，TPS5430DDAR將進入打嗝模式過電流限制。熱保護可防止設備過熱。

三、TPS5430DDAR中文參數(shù)/資料

  商品分類：DC-DC電源芯片

  品牌：TI(德州儀器)

  封裝：SO PowerPAD-8

  包裝：整包裝

  商品標簽：汽車級

  功能：降壓

  輸出配置：正

  拓撲：降壓

  輸出類型：可調(diào)式

  輸出數(shù)：1

  電壓-輸入(最小值)：5.5V

  電壓-輸入(最大值)：36V

  電壓-輸出(最小值/固定)：1.221V

  電壓-輸出(最大值)：32.04V

  電流-輸出：3A

  頻率-開關：500kHz

  同步整流器：無

  工作溫度：-40°C ~ 125°C(TJ)

  安裝類型：表面貼裝型

  基本產(chǎn)品編號：TPS5430

  RoHS狀態(tài)：符合 ROHS3 規(guī)范

  濕氣敏感性等級(MSL)：1(無限)

  REACH狀態(tài)：非 REACH 產(chǎn)品

  ECCN：EAR99

  HTSUS：8542.39.0001

四、TPS5430DDAR引腳圖、原理圖、封裝圖

TPS5430DDAR引腳圖

TPS5430DDAR電路圖(原理圖)

TPS5430DDAR封裝圖