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  5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì)，給用戶(hù)帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場(chǎng)前景廣闊。高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比和高可靠性的解決方案。

  反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升，對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延，以及更短互連等要求。

  為此，長(zhǎng)電科技通過(guò)各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度性能，滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。芯片2.5D/3D封裝是在三維方向上將多個(gè)芯片堆疊起來(lái)，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速通訊，增加帶寬和器件集成的小型化，使芯片產(chǎn)品在擁有高存儲(chǔ)密度的同時(shí)降低其封裝成本。

  同時(shí)，長(zhǎng)電科技在圓片磨劃、封裝工藝、潔凈度控制等環(huán)節(jié)擁有一整套成熟的技術(shù)和先進(jìn)的設(shè)備支持，多芯片堆疊技術(shù)管控能力達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平;在測(cè)試環(huán)節(jié)擁有先進(jìn)的測(cè)試系統(tǒng)和能力，可向客戶(hù)提供全套測(cè)試平臺(tái)和工程服務(wù)。

  長(zhǎng)電科技的工藝能力可以實(shí)現(xiàn)16層芯片的堆疊，單層芯片厚度為35um，封裝厚度為1mm左右。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體微系統(tǒng)集成和芯片成品制造服務(wù)提供商，長(zhǎng)電科技在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已積累近20年的成品制造和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，與國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品廠(chǎng)商之間形成廣泛的合作，包括DDR在內(nèi)各類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，穩(wěn)定的制程能力和產(chǎn)品品質(zhì)贏(yíng)得了國(guó)內(nèi)外客戶(hù)好評(píng)。

  長(zhǎng)電科技表示，隨著PC端、服務(wù)器端、以及消費(fèi)端等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，市場(chǎng)對(duì)DDR5的需求有望加速釋放，為集成電路封測(cè)帶來(lái)新機(jī)遇。依托一流的工藝能力、品質(zhì)管控能力和成熟的供應(yīng)鏈體系，長(zhǎng)電科技可為客戶(hù)確保高成品率的同時(shí)縮短產(chǎn)品交期，幫助客戶(hù)以更低的成本實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的解決方案。未來(lái)，長(zhǎng)電科技將保持對(duì)領(lǐng)先技術(shù)的不懈追求，不斷加強(qiáng)與客戶(hù)協(xié)同合作實(shí)現(xiàn)與客戶(hù)的共同成長(zhǎng)。