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  近年來(lái)市場(chǎng)對(duì)于消費(fèi)電子和通信電子等的需求持續(xù)增長(zhǎng)，扇出型封裝受到市場(chǎng)青睞。扇出型封裝維持了WLCSP輕薄短小的外形特點(diǎn)，良好的電性能及散熱性能;同時(shí)，由于走線/管腳可以延伸于芯片之外，可以實(shí)現(xiàn)更好的設(shè)計(jì)靈活性，而芯片側(cè)壁及底部的塑封材料則可以提供有效的后續(xù)工藝操作保護(hù)和使用場(chǎng)景可靠性保護(hù)。

  扇出型封裝面臨的問(wèn)題：

  扇出型封裝需要經(jīng)過(guò)晶圓重構(gòu)，在此過(guò)程中，需要將芯片粘附在設(shè)定位置，但是往往因機(jī)臺(tái)撿取放置精度，塑封料和芯片之間在熱壓流動(dòng)過(guò)程的互動(dòng)，導(dǎo)致芯片偏離設(shè)計(jì)位置。

  偏移主要會(huì)影響到后續(xù)光刻對(duì)位和布線，而又因重構(gòu)晶圓在后續(xù)制作中包含塑封料、芯片、絕緣層、金屬層等不同材料，熱膨冷縮會(huì)導(dǎo)致翹曲產(chǎn)生，嚴(yán)重的晶圓翹曲甚至?xí)?dǎo)致后續(xù)制程無(wú)法進(jìn)行。

  以上問(wèn)題從封裝設(shè)計(jì)時(shí)便會(huì)帶來(lái)諸多掣肘，特別是對(duì)于小芯片的扇出封裝，在晶圓重構(gòu)過(guò)程中會(huì)因有效鍵合面積的不足造成鍵合不牢從而導(dǎo)致異常偏移。

  這種異常偏移情況同樣在多芯片情況下也更嚴(yán)重。而翹曲問(wèn)題導(dǎo)致傳統(tǒng)封裝扇出比(封裝尺寸/芯片尺寸)受限或有效使用面積的下降。因此，小尺寸、大扇出比封裝對(duì)于傳統(tǒng)扇出封裝工藝仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。

  為了應(yīng)對(duì)上述問(wèn)題，為封裝設(shè)計(jì)提供更多的便利和靈活性，ECP (Encapsulation Chip Package) 技術(shù)由此應(yīng)運(yùn)而生。

  ECP技術(shù)是一種Chip first, Face down先進(jìn)封裝工藝，與其他采用晶圓重構(gòu)塑封料塑封封裝工藝不同，ECP工藝并非采用液態(tài)或者粉體塑封料，取而代之使用包覆塑封膜。

  除此之外，通過(guò)包覆整平工藝取代晶圓塑封以實(shí)現(xiàn)芯片的超薄封裝。該工藝不僅可以獲得平整度較高的重構(gòu)晶圓，并且可以有效避免在包覆膜包覆過(guò)程中產(chǎn)生空洞。

  另一方面相對(duì)于使用液態(tài)或者粉體晶圓塑封重構(gòu)工藝，包覆整平工藝還可以有效降低芯片偏移問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)小尺寸芯片，大扇出比封裝。

  此外，得益于ECP的特殊流程和包覆膜的低模量特性，重構(gòu)晶圓背面的硅片支撐體可以有效降低重構(gòu)晶圓的翹曲，克服傳統(tǒng)扇出型封裝因翹曲引起的制程作業(yè)問(wèn)題。

  長(zhǎng)電科技ECP工藝技術(shù)在實(shí)現(xiàn)扇出型，單芯片及多芯片封裝的同時(shí)，還可以實(shí)現(xiàn)芯片的五面封裝保護(hù)。并且可以有效克服晶圓翹曲問(wèn)題，可以實(shí)現(xiàn)小尺寸芯片，大扇出比扇出封裝的重大突破。