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電機(jī)控制和轉(zhuǎn)換效率的汽車應(yīng)用
2023-02-21 543次

  對(duì)于越來越多的汽車應(yīng)用來說,電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制應(yīng)用的效率是一項(xiàng)始終需要關(guān)注的設(shè)計(jì)規(guī)范要求。現(xiàn)代內(nèi)燃機(jī)汽車越來越多地使用低壓三相電機(jī)控制系統(tǒng),包括燃油泵、座位調(diào)節(jié)電機(jī)和空調(diào)電機(jī)。MOSFET及其電源轉(zhuǎn)換效率直接影響著許多設(shè)計(jì)因素,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作溫度以及浪費(fèi)耗散的熱量。效率取決于MOSFET內(nèi)的幾個(gè)關(guān)鍵開關(guān)器件屬性,如導(dǎo)通電阻、峰值開關(guān)電流和熱效率。


  常見的MOSFET半橋配置

  由兩個(gè)MOSFET組成的半橋配置是汽車三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的常見構(gòu)建模塊。和其他許多行業(yè)一樣,除了技術(shù)規(guī)格,汽車行業(yè)還有其他同樣重要的要求。隨著電子系統(tǒng)數(shù)量的增加,可用空間變少,帶來了器件管腳尺寸和PCB空間方面的壓力。


電機(jī)控制和轉(zhuǎn)換效率的汽車應(yīng)用


  適合的應(yīng)用:半橋是汽車應(yīng)用中的常見構(gòu)建模塊

  不斷縮小的器件管腳尺寸和節(jié)省空間的封裝

  半橋配置MOSFET的物理電路板物理布局需要進(jìn)行精心設(shè)計(jì)??s小汽車系統(tǒng)內(nèi)部模塊尺寸的需求促使設(shè)計(jì)工程師采用尺寸更小、功率密度更高的封裝。縮小模塊尺寸的要求使系統(tǒng)級(jí)效率和系統(tǒng)級(jí)電感成為重要的考慮因素,因?yàn)樵陔娐钒迳鲜褂妙~外的線路會(huì)影響到板級(jí)電感。

  Nexperia開發(fā)的LFPAK56D空間節(jié)約型封裝完全兼容業(yè)內(nèi)的雙通道Power-SO8半導(dǎo)體管腳尺寸,充分展示了半導(dǎo)體供應(yīng)商如何為空間受限設(shè)計(jì)帶來創(chuàng)新。Nexperia推出的LFPAK56D雙通道封裝針對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,兩個(gè)MOSFET通常作為單獨(dú)通道使用。例如,噴油器或廢氣再循環(huán)(EGR)閥門。


  降低整個(gè)系統(tǒng)電感

  針對(duì)需要將以半橋配置使用MOSFET的應(yīng)用,我們目前推出了包含兩個(gè)LFPAK56D半橋器件的系列。封裝內(nèi)的關(guān)鍵創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)高邊MOSFET源極和低邊MOSFET漏極的連接。較之于LFPAK56D雙通道封裝,這種連接可將寄生電感降低60%,以進(jìn)一步降低電機(jī)控制和DCDC拓?fù)涞南到y(tǒng)級(jí)電感。


電機(jī)控制和轉(zhuǎn)換效率的汽車應(yīng)用

  LFPAK56D(雙通道Power-SO8)封裝中的汽車半橋MOSFET


  這兩種產(chǎn)品都符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),并具備與我們的銅夾片LFPAK封裝技術(shù)相同的額外優(yōu)勢(shì),如更高的板級(jí)可靠性、卓越的電氣性能和熱性能,以及利用易于焊點(diǎn)光學(xué)檢查和波形可焊性實(shí)現(xiàn)的可制造性波峰焊可選。

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 390次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 451次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 369次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 387次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽車以太網(wǎng)
  • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),汽車以太網(wǎng)用法靈活,并能顯著提高數(shù)據(jù)速率(與傳統(tǒng)的 CAN HS/FD 相比),因此能夠橋接各種復(fù)雜的通信域,如圖1所示。這一特性進(jìn)一步強(qiáng)化汽車以太網(wǎng)在未來車載數(shù)據(jù)通信架構(gòu)中的作用,而在未來,ADAS、信息娛樂系統(tǒng)和動(dòng)力系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用將在汽車領(lǐng)域內(nèi)顯著增長(zhǎng)。
    2023-04-27 1518次

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