h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 技術(shù)文章>安世>Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管技術(shù)
Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管技術(shù)
2023-02-21 479次

  大功率LED燈串(例如汽車前燈中用的燈串)要求電流恒定,也就是無論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動變化,電流都保持穩(wěn)定。電流穩(wěn)定可以確保LED燈串的亮度水平恒定,有助于延長其工作壽命。驅(qū)動功率LED有幾種解決方案。較完善的分立式方案是將精密并聯(lián)穩(wěn)壓器和功率雙極性晶體管組合,采用電流吸收器配置。


Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管技術(shù)

分立式LED驅(qū)動電路圖


  在升壓轉(zhuǎn)換器的輸出級使用線性調(diào)節(jié),可將24 V電源電壓轉(zhuǎn)換為72 V,為兩個并聯(lián)的LED燈串提供所需的高電壓。兩個并聯(lián)的100 V NPN晶體管的基極端子使用可調(diào)精度并聯(lián)穩(wěn)壓器控制,使其在線性區(qū)域內(nèi)工作。反饋回路中的電阻決定負載電流的大小,因此最亮工作模式下的總電流消耗為1 A。


  使用BJT穩(wěn)定可靠地工作

  通過使用紅外攝像機檢查電路(圖2),可以看到即使在最亮設(shè)置下,BJT的溫度也遠遠低于最大允許上限。與集成式解決方案相比,這種分立式方案還為PCB上的散熱管理提供了更多的靈活性。當(dāng)輸入電壓波動為1 V時,LED燈串的亮度和溫度不會發(fā)生變化,表明該解決方案具有穩(wěn)健性。即使環(huán)境溫度攀升到50 ℃,電路仍能可靠運行。


  PCB和使用紅外攝像機得到的熱圖像


Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管技術(shù)


  采用DPAK封裝,熱性能出色

  Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管采用DPAK封裝,具有出色的熱功耗,非常適合此應(yīng)用。該解決方案使用兩個符合汽車標準的MJD31C大功率100 V 3 A NPN雙極晶體管,但對于需要更精密線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用,則可用增益更高的MJD31CH-Q替代MJD31CA。


Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管技術(shù)


  這些器件的基極電流均由TLVH431 A級精密并聯(lián)穩(wěn)壓器控制,最大灌電流達到70 mA。在輸出級進行線性調(diào)節(jié)的另一個優(yōu)點是不會引入額外的電磁干擾(EMI),這也是汽車環(huán)境中的一個關(guān)鍵考慮因素。


  可持續(xù)運行

  在大功率LED燈串中實現(xiàn)穩(wěn)健持續(xù)運行,要求無論溫度和輸入電壓如何波動變化,電流都能保持穩(wěn)定。分立式高電壓電流吸收器拓撲使用Nexperia的MJD系列功率雙極性晶體管以及精密TLVH并聯(lián)穩(wěn)壓器,以高性價比的簡單解決方案來確保LED亮度恒定。

  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力,實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 406次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場強比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 459次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時日,事實上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及,市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求,并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個 IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 377次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 393次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽車以太網(wǎng)
  • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓撲結(jié)構(gòu),汽車以太網(wǎng)用法靈活,并能顯著提高數(shù)據(jù)速率(與傳統(tǒng)的 CAN HS/FD 相比),因此能夠橋接各種復(fù)雜的通信域,如圖1所示。這一特性進一步強化汽車以太網(wǎng)在未來車載數(shù)據(jù)通信架構(gòu)中的作用,而在未來,ADAS、信息娛樂系統(tǒng)和動力系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用將在汽車領(lǐng)域內(nèi)顯著增長。
    2023-04-27 1541次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復(fù)
    返回頂部