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安世36 V電池隔離MOSFET
2023-02-21 553次

  使用36 V鋰離子電池供電的工具和室外電力設(shè)備變得日益常見。這類電池具有良好的功率和電池壽命搭配,同時相對輕便,易于使用。但由于能量密度比較高,因此它們需要高效的電池隔離。Nexperia的新型50/55 V專用MOSFET提供必要的安全工作區(qū)(SOA)和魯棒性,同時還提供顯著改進的效率和很高的額定功率,外形尺寸為5*6 mm。


安世36 V電池隔離MOSFET


  使用電池供電的無繩工具和室外電力設(shè)備迅猛發(fā)展,推動這種趨勢的關(guān)鍵因素之一是使用壽命持久的10芯36V鋰離子電池組的問世。這些電池具有高能量密度,非常適合專業(yè)工具,也適合傳統(tǒng)有繩設(shè)備,甚至是發(fā)動機驅(qū)動的室外電力設(shè)備,例如電鋸和割草機。但是,由于能量密度升高,它們更加需要高效的電池隔離。

  為了確保任何大量放電都以受控的方式進行,直至電池安全隔離和系統(tǒng)關(guān)閉電源,我們需要非常穩(wěn)定的高熱效率MOSFET。按照標準MOSFET電壓額定值,對于36 V電池,設(shè)計人員會使用60 V MOSFET。但是,對于36 V的標稱額定值,使用50 V或55 V的MOSFET比較理想。減小MOSFET電壓額定值,可為優(yōu)化SOA、ID額定值和雪崩能力提供機會,從而提高整體安全性和效率。


  維持安全工作區(qū)至關(guān)重要

  出現(xiàn)故障的情況下,當故障導致深度放電時,由于在高電流下電路電感兩端產(chǎn)生的電壓,PSMN1R5-50YLH電池隔離MOSFET通常會進入線性模式。因此,維持穩(wěn)定的安全工作區(qū)至關(guān)重要。Nexperia的MOSFET技術(shù)提供了出色的安全工作區(qū)功能,利用50/55 V ASFET,我們優(yōu)化了1 ms至10 ms的放電性能。例如,這意味著,PSMN1R5-50YLH能夠在40 V電壓下處理高達5 A的放電,持續(xù)1 ms。


  優(yōu)化雪崩能力

  電池隔離MOSFET通常放置在遠離負載的位置,可能遭受非鉗位電感尖峰(UIS)。通過優(yōu)化VDS電壓(50 V),使其更接近電池電壓(36 V),可幫助將耗散電能減少至少20%(與60 VDS器件相比),并且可以避免潛在的故障。鑒于典型應(yīng)用經(jīng)常在惡劣環(huán)境下運行,雪崩事件可能很常見。Nexperia的PSMN1R5-50YLH具有2000 mJ(在25 A電流下)的單相雪崩額定值(EAS),能夠反復(fù)耐受此類事件。


  擴展已經(jīng)成熟的產(chǎn)品組合

  隨著這些專用50/55 V ASFET的發(fā)布,Nexperia成為率先專門針對36 V電池系統(tǒng)提供50 V額定值MOSFET的公司之一。該產(chǎn)品在SOA、ID額定值和雪崩能力方面進行了優(yōu)化,同時保持良好的導通電阻,為設(shè)計人員提供了非常穩(wěn)定的電池隔離解決方案。它提供業(yè)界領(lǐng)先的性能,直流電池額定值為200 A,計算的硅限制為312 A,外形尺寸為5*6 mm,并基于Nexperia的成熟電池隔離ASFET產(chǎn)品組合構(gòu)建。


安世36 V電池隔離MOSFET
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  • Nexperia(安世半導體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力,實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 406次
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    2023-08-02 459次
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    2023-07-21 377次
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    2023-06-15 393次
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    2023-04-27 1541次

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